第4章-离子注入(掺杂工艺)精简.ppt

离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。内容4.1核碰撞和电子碰撞4.2注入离子在无定形靶中的分布4.3注入损伤4.4热退火4.5*离子注入设备与工艺4.6*离子注入和热扩散的比较1963年，Lindhard(林华德）,Scharff（沙夫）andSchiott（希奥特）首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称LSS理论。该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程(1)核阻止（nuclearstopping）————核碰撞(2)电子阻止（electronicstopping）——电子碰撞总能量损失为两者的和核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论阻止本领：材料中注入离子的能量损失大小。单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量，分别记为：Sn(E)——核阻止本领。能量为E的注入离子在单位密度靶内运动单位长度时，损失给靶原子核的能量Se(E)——电子阻止本领4.1.1核阻止本领注入离子与靶内原子核之间两体碰撞两粒子之间的相互作用力是电荷作用核阻止本领和电子阻止本领曲线能量较低，质量较大的离子，主要是通过核阻止损失能量能量较高，质量较小的离子，主要是通过电子阻止损失能量不同靶和不同注入离子，其Ec值不同。硅靶注入轻离子硼，Ec约为15keV，重离子磷，Ec大约为150keV。注入离子的初使能量比Ec大很多，在靶内主要电子阻止损失能量，核阻止可忽略：R≈k1E01/2EEc，电子阻止可忽略，入射离子主要以核阻止形式损失能量：R≈k2E0常见杂质在硅中的平均射程离子注入的沟道效应沟道效应（Channelingeffect）:当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。典型离子注入参数离子：P，As，Sb，B，In，O剂量：1011~1018cm-2能量：1–400keV可重复性和均匀性:±1%温度：室温流量：1012-1014cm-2s-1损伤的产生移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子。移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位，所需的最小能量.(对于硅原子,Ed?15eV)不同能量的注入离子与靶原子发生碰撞的情况：EEd，不会产生移位原子，表现形式为宏观热能；EdE2Ed，产生一个移位原子和一个空位；E2Ed，被撞原子本身移位之后，还有足够高的能量于其他原子发生碰撞使其移位，这种不断碰撞的现象称为“级联碰撞”。注入损伤的形式产生孤立的点缺陷或缺陷群（简单损伤）注入离子引起的晶格损伤有可能使晶体结构完全破坏变为无序的非晶区域大剂量的注入区甚至会形成非晶层§4.4热退火ThermalAnnealing晶格损伤的危害：增加散射中心，使载流子迁移率下降增加缺陷中心，使非平衡少数载流子寿命减少，pn结漏电流增大注入离子大多处于间隙位置，起不到施主或者受主的作用，晶格损伤造成的破坏使之更难处于替位位置，非晶区的形成更使得注入的杂质根本起不到作用。热退火的定义和目的在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位，有电活性；并使晶体损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率，少子寿命退火条件、方法退火条件：依据损伤情况定，目的是激活杂质，恢复电学特性注入杂质的质量，剂量、能量等靶温退火方法高温退火快速退火：激光、宽带非相关光、电子束退火热退火过程（固相外延）快速退火RapidThermalAnnealing(RTA)普通热退火（高温退火）需要经过长时间的高温过程，会导致明显的杂质再分布，还可能造成硅片翘曲变形快速退火的目的：降低退火温度或缩短退火时间快速退火手段：脉冲激光；脉冲电子束；扫描电子束等快速退火处理（Rapidthermalprocessing,RTP）是将晶片快速加热到设定温度，进行短时间快速热处理的方法，热处理时间10-3-102s。过去几年间，RTP已逐渐成为微电子产品生产中必不可少的一项工艺，用于氧化（RTO）、离子注入后的退火、金属硅化物的形成和快速热化学薄膜淀积。RTP特点RTP系统采用辐射热源对单片加热，温度测控由高温计完成；RTP工艺使用范围很广，控温在200~1300℃之间，升、降温速度为20~250℃/秒，还可以控制工艺气体，可完成复杂