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摘要
摘要
太赫兹探测技术的进步依赖于优质的光敏材料和高效的太赫兹源,而拓扑
材料作为光电子领域的新兴材料,表现出优异的光电特性,为相关研究开辟了
新的路径。为深入研究和丰富拓扑材料在太赫兹探测技术领域的应用理论,本
文详细探讨了几种拓扑半金属材料的拓扑电子态及其在光学特性上的表现,这
些研究对太赫兹探测技术的进一步发展具有重要意义。
首先,本文专注于NiTe2这个材料,分别研究了其不考虑和考虑自旋轨道耦
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