《薄膜物理与技术》第2章真空蒸发镀膜法.pptx

第2章真空蒸发镀膜法;PVD的特点;Evaporation;Evaporation;§2-1PrincipleofVacuumEvaperation;二、过程;2.输运－Transporttosubstrate

lineofsightdeposition

wanttoavoidcollisionsingas

longmeanfreepath

goodvacuum

leth=sourcetosubstratedistance

forhof10-100cm,wantP10-5torr

biggerh=lowerP

ResidueGasisunavoidable!

;3.沉积－Depositionontosubstrate

GasAtomstoSolid

Adsorption

Condensation

Nucleation

Growth

FilmFormation

Considerfilmthicknessandpurity!Andthenconsiderthefilmstructureandproperty!

;三、饱和蒸汽压－Pvap;VAPORPRESSUREOFWATERATVARIOUSTEMPERATURES;饱和蒸气压的理论推导;

所以

Hv：视为常数，积分得;得到：lnPv与1/T近似为直线！

Pv－T的近似关系式，应用范围：蒸气压小于1Torr。

由此可以合理地选择蒸发材料及确定蒸发条件。;VaporPressureofsomeSolids;Meltingboilingpointsofselectedelements[West,etal.(1988)].;四、蒸发速率－Evaperationrate;describeevaporationrate(flux)fromkinetictheory

where

Pvap=vaporpressure(Torr)

M=molecularweight

cm2=areaofsource

;canconvertthistomassflux

atPvap=10-2torr,

massflux=10-4grams/cm2sec

;由于lnPv与1/T的近似正比关系，所以当T有微小变动时，蒸发速率会有剧烈的变化！

;五、蒸发分子的平均自由程与碰撞几率;残余气体与蒸发物分子按比例1：1到达基板表面。所以要求蒸镀的真空度为10-6Torr

2）Meanfreepath

则残余气体压强为10-2帕时，λ=50cm。

与真空室尺寸一致，蒸发分子在输送过程中几乎不发生碰撞;六、残余气体的组成及其影响。

大气的残余物（O2、N2、CO2、H2O），扩散泵油蒸气，真空室吸气，当P≤10-4Pa时，主要为真空室吸气。

水汽易与金属膜反应，或与W，Mo等加热器材料反应。

在设计优良的系统中，扩散油蒸气不明显。;Frombackgroundgas;Traditionally“evaporation”produces

cleanerfilmthan“sputtering”becauseof;VaporizedParticle

Particleshaveenergiescomparabletoevaporationtemperature

1000oCisabout0.2eV

distributionofevaporant

dependsongeometryofsource

;§2-2EvaporationCharacter

Thicknessdistribution

影响膜厚分布的因素：

A）蒸发源的特性；

B）基板与蒸发源的几何形状，相对位置

C）蒸发物质的蒸发量。

假设：

1）蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；

2）在蒸发源附近的蒸发原子间也不发生碰撞；

3）蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象。;一、点蒸发源;ConsiderPointSource;设薄膜密度为r，单位时间在dS2上的淀积厚度为t。

则dms=r·dS2.t

在θ=0处，膜厚最大

;点蒸发源沉积薄膜厚度分布;二、小平面蒸发源;Fromkinetictheoryexperimentforsurfacesource;;Emi