《电子技术》课件第1章.ppt

1.输出特性曲线如图1.4.4(a)所示,每取一个uGS的确定值,就有一条iD－uDS曲线与之对应,形成输出曲线族。其输出特性曲线可分为可变电阻区(即夹断区)、饱和区(也叫恒流区,即放大区)、截止区和击穿区几部分。(1)可变电阻区:漏极电流iD随uDS增加而上升的区段。该区域对应于双极型三极管的饱和区。在该区域内,uDS很低,iD随uGS而变。D、S极间就像一只受uGS控制的低阻值电阻,所以又称变阻区。(2)饱和区:uGS为定值时,iD几乎不随uDS变化的区域。该区域D、S极间具有恒流特性,故也称为恒流区。与三极管相类似,在恒流区,可将iD看成受电压uDS控制的电流源。只有当场效应管工作在此区域时,管子才具有放大作用,因而该区又称为线性放大区。(3)截止区:指uGS≤UGS(th)的区域,这时导电沟道消失,iD≈0,管子处于截止状态。(4)击穿区:FET也具有击穿特性。当uDS增大到一定值以后,漏－源之间会发生击穿,漏极电流急剧增大,如果不加限制,则会造成MOS管损坏。2.转移特性曲线如图1.4.4(b)所示,转移特性曲线本来是一组线族,但由于当uDS足够大时,iD几乎不随uDS而变化,即不同的uDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,因此可用uDS大于某一数值(uDS＞(uGS－UGS(th)))后的一条转移特性曲线代替所有转移特性曲线。由图1.4.4(b)可知:该曲线位于坐标轴右侧,说明uGS必须大于零才能使管子正常工作。同时还可看出,uGS＜UGS(th)时,漏极电流iD极小,相当于双极型三极管输入特性曲线的死区。只有当uGS≥UGS(th)时,iD才受uGS的控制且随uGS的增加而急剧增大,故UGS(th)称为MOS管的开启电压。由上可见,场效应管的伏安特性是非线性的,所以场效应管也是非线性器件。1.4.4场效应管的主要参数场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时主要关注以下参数。1.低频跨导gm低频跨导又称低频互导,是指当uDS等于某一定值时,漏极电流iD的微变量和引起这个变化的栅源电压uGS的微变量的比值,即(1.4.1)gm反映了uGS对iD的控制能力,是表征场效应管放大能力的重要参数,单位为西［门子］,符号为S,一般为几毫西(mS)。gm的值与管子的工作点有关。2.夹断电压UGS(off)(UP)夹断电压是指结型或耗尽型绝缘栅型场效应管中,使漏－源极间刚截止(夹断)时(iD=0)的栅源电压。3.开启电压UGS(th)(UT)开启电压是指增强型绝缘栅型场效应管中,使漏-源极间刚导通时的栅源电压。4.饱和漏源电流IDSS饱和漏源电流是指结型或耗尽型绝缘栅型场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。5.最大漏源电流IDSM最大漏源电流是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏-源极间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。6.最大漏源电压U(BR)DS最大漏源电压是指栅源电压uGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于U(BR)DS。7.最大栅源电压U(BR)GS最大栅源电压是指栅-源间所能承受的最大反向电压,uGS超过此值时,栅-源间发生击穿。8.漏极最大耗散功率PDM(PDSM)漏极最大耗散功率也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。在使用时,场效应管的实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。9.直流输入电阻RGS直流输入电阻是指栅-源极之间的直流输入电阻,即当漏-源极间短路时,加在栅-源极之间的直流电压UGS与所引起的直流电流IG之比。此值一般大于108Ω。1.4.5使用场效应管的注意事项(1)从场效应管的结构上看,其源极和漏极是对称的,因此源极和漏极可以互换。但有些场效应管在制造时已将衬底引线与源极连在一起,这种场效应管的源极和漏极就不能互换了。(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。例如,结型场效应管的栅源电压uGS的极性不能接反。1)判断基极b因为三极管的e、c极的材料相同,基极相异,所以先定