电子行业端侧存算一体迎来快速发展.pdfVIP

行业研究|行业专题研究

正文目录

1.存算一体迎来产业化拐点4

1.1存算一体解决多项技术瓶颈4

1.2端侧存算一体应用率先量产落地6

2.投资建议：关注存算一体产业化趋势10

2.1关注存算一体产业链10

2.2关注AI端侧产业链10

2.3关注半导体自主可控产业链10

3.风险提示11

图表目录

图表1：存储墙：存储计算“剪刀差”4

图表2：功耗墙：内存与处理器之间数据传输的功耗4

图表3：存算一体技术方案分类5

图表4：2022年全球不同产品类型存算一体技术市场份额5

图表5：2029年全球不同产品类型存算一体技术市场份额预计5

图表6：存内计算器件对比分析6

图表7：存算一体芯片行业发展趋势7

图表8：不用领域终端存算一体芯片应用情况7

图表9：全球存算一体芯片市场规模（亿美元）9

图表10：小算力场景是主要应用领域9

图表11：中国存算一体芯片市场规模（亿元）9

请务必阅读报告末页的重要声明3/12

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1.存算一体迎来产业化拐点

1.1存算一体解决多项技术瓶颈

传统的冯·诺依曼架构以计算为核心，处理器与存储器之间的物理分离导致了大规模

数据频繁迁移，从而限制了AI芯片的整体性能。因此，传统芯片架构面临着“存储

墙”、“功耗墙”及“算力墙”等严峻挑战，难以满足AI应用对于低时延、高能效以

及高可扩展性的迫切需求。存算一体是一种新的计算架构，核心是将存储单元与计算

单元合为一体，省去计算过程中的数据搬运环节，消除其带来的功耗和延迟，有望彻

底解决传统冯·诺依曼架构的“存储墙”问题，极大提高计算能效。

图表1：存储墙：存储计算“剪刀差”图表2：功耗墙：内存与处理器之间数据传输的功耗

资料来源：中国移动《存算一体白皮书》、17AI，国联证券研究所资料来源：中国大学MOOC，国联证券研究所

存算一体技术方案分为三类。根据存储与计算的距离远近，广义的存算一体技术方案

分为近存计算、存内处理和存内计算三类，狭义的存算一体即指存内计算。近存计算

仍是存算分离架构，本质上计算操作由位于存储外部、独立的计算单元完成，其技术

成熟度较高，主要包括存储上移、计算下移两种方式。存内处理是在芯片制造过程中，

将存和算集成在同一个晶粒中，使存储器本身具备了一定算的能力；本质上仍是存算