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基于分子动力学的4H-SiC_SiO2界面传热行为研究.pdf

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    摘要

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    碳化硅（Siliconcarbide，SiC）材料凭借其卓越的热、电和化学性能，在半

    导体芯片领域扮演着日益重要的角色。然而，SiC基器件的热输运能力常受

    SiC/SiO2界面热阻（Interfacialthermalresistance，ITR）的制约，从而影响器件的

    性能与可靠性。目前，对SiC/SiO2界面热特性的理解尚不全面。本研究运

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