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钢板应力检测中的巴克豪森信号分析.docVIP

钢板应力检测中的巴克豪森信号分析.doc

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钢板应力检测中的巴克豪森信号分析

摘要:针对铁磁性材料由于应力集中导致的断裂等问题,分析了铁磁性材料在磁化过程中鼓励频率对巴克豪森信号的影响,分析了应力与巴克豪森信号的关系及特性。采用检测线圈与鼓励线圈共同缠绕于同一磁芯的方式来接收信号,并通过高通滤波电路得到巴克豪森信号。实验结果说明,鼓励频率在20Hz时,巴克豪森信号较强较稳定,并且随铁磁性材料中拉应力增大而增大。通过检测巴克豪森信号的大小实现铁磁性材料的应力检测,有效的预防因应力过大造成的工件损坏问题。

关键词:铁磁性材料;巴克豪森信号;钢板;应力;磁畴;鼓励线圈;检测线圈

铁磁性材料在交通运输、学术科研、日常生活等各个领域都得到了广泛的应用,如今的工业制造向着速度高、载荷大开展,应力集中会使铁磁性材料形成裂纹甚至断裂,造成不必要的损失[1]。巴克豪森效应法是一种适用于铁磁性材料的应力检测方法,巴克豪森信号的大小与应力大小存在着一定关系,对应力集中的检测有着重要意义。随着应力检测技术的开展,巴克豪森信号检测方法已经在钢板、钢轨等应力检测领域有着一定程度的应用[2]。

本文针对钢板应力检测提出了一种巴克豪森信号的检测方法,采用正弦鼓励,激发巴克豪森信号,用检测线圈与鼓励线圈共同缠绕于同一磁芯的方式来接收巴克豪森信号,比拟了不同的鼓励频率对巴克豪森信号大小的影响,并检测受不同应力的钢板所产生的巴克豪森信号。

1巴克豪森法检测应力原理

巴克豪森信号的产生

铁磁性材料在外磁场的作用下会逐渐磁化,直至饱和。整个磁化过程,磁感应强度与外磁场成一定关系,如图1所示,铁磁材料的磁化过程可分为四个阶段[3]。

第一阶段,在弱磁场的作用下,磁感应强度增加缓慢,如果撤去外加磁场,畴壁自行恢复到材料被磁化前的位置;第二阶段,在较强度磁场作用下,磁感应强度B迅速增加,磁畴移动的位移加大使磁畴结构发生重组,曲线出现了抖动和跳跃,这个噪声信号就是巴克豪森信号,此时的畴壁位移是不可逆的,即使减小外磁场甚至撤去外磁场,畴壁也不会恢复到从前的位置;在第三阶段和第四阶段,当外磁场强度增加到一定程度时,铁磁性材料的磁化逐渐进入饱和磁化阶段,磁感应强度变化很平缓。

磁感应强度

磁感应强度/B

一阶段

二阶段

三阶段

四阶段

巴克豪森跳跃

磁场强度/H

图1磁化曲线示意图

由图可见,磁感应强度B随着磁场强度H增加的变化趋势,巴克豪森信号主要产生在第二阶段,即不可逆畴壁位移阶段。

1.2应力对磁畴的影响

铁磁性材料内部是由磁畴组成的,磁畴与磁畴之间有畴壁。在外磁场的作用下,磁畴会发生错动,畴壁会产生位移。随着外加磁场H的不断增加,与H方向相近的磁畴逐渐吞没其它方向磁畴。而应力对磁畴的影响在某种程度上与磁场起着相同的作用,如图2所示。

图2a是铁磁性材料未受应力和无外加磁场作用时的磁畴情况,图2b是在拉应力作用下磁畴的变化,图2c是在外磁场作用下的磁畴变化。

a

a无应力磁场作用

拉应力方向

磁场方向

c磁场作用下

b拉力作用下

图1应力和磁场对磁畴的影响

当磁场的方向和拉应力的方向相同时,它们对磁畴的作用效果也相同,使得磁矩与磁场和拉力方向相近的磁畴的相互摩擦和错动就会更加剧烈,巴克豪森信号就会增强[4]。

畴壁运动并不是无休止的,因此在畴壁运动时会受到阻力,该阻力的来源就是畴壁发生位移时产生的能量。内在应力是阻碍畴壁运动的主要原因之一。当铁磁性材料内部存在内应力时,单位体积的畴壁能的表达式为:

〔1〕

式中,单位体积的畴壁能记为;交换积分记为A;能量密度记为K1;应力随位置变化的函数记为。根据能量的理论知,当材料未被磁化的时候,畴壁的位置总应停留在畴壁能最小的地方,当有外磁场作用在铁磁性材料时,畴壁就会进行移动,导致畴壁能的增加[5]。从而阻碍了畴壁的运动。不可逆壁移磁化如图2所示:

位移

位移

θ

180°-θ

Ms

0

X2

X3

X

磁化强度

H

M

X1

α

Ms

图2不可逆壁移磁化示意图

当施加的外磁场强度H=0时,铁磁质对外不显磁性,磁畴之间无摩擦无转动,畴壁处于平衡状态。以180°的磁畴壁为例,右磁畴渐渐缩小,左磁畴渐渐扩大,畴壁α逐渐向右移动,如图4所示,位移从0至为可逆壁移阶段,畴壁移到分界点所需磁场强度为临界磁场强度,得:

〔2〕

式中,为真空磁导率,为饱和磁化强度,为磁畴矩在易磁化方向受外磁场的作用转过的一个小角度。

时,单位面积畴壁能最低。当磁场强度增加,略超过,壁移从跳到,随着磁场强度的增加,畴壁又从跳到,处比处更大。随着磁场强度的增加,几次跳跃式的畴壁移动聚集到一起就形成了巴克豪森信号。这就从磁畴壁的移动的角度解释了巴克豪森信号的产生。

1.3巴克豪森信号的影响因素

巴克豪森信号产生的原因是磁畴的转动和畴壁的移动。

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