太阳能电池工艺.ppt

方块电阻的定义考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为当l=a（即为一个方块）时，R=ρ/t。可见，（ρ/t）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□=ρ/t(Ω/□)等离子体刻蚀*等离子体刻蚀模型*PSGn+SiBeforeedgeisolationAfteredgeisolation等离子体刻蚀原理*等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。（这是各向同性反应）这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。12等离子体刻蚀反应*01首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。03生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。02其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。等离子体刻蚀反应*边缘刻蚀控制*对于不同规格硅片，应适当的调整辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。控制方法短路形成途径由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。去PSG*去磷硅玻璃模型*PSGBeforePSGremovalAfterPSGremoval什么是磷硅玻璃？*这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。在扩散过程中发生如下反应：POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子：磷硅玻璃的去除*氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。01若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。02总反应式为：03*太阳能电池工艺流程制绒清洗扩散刻蚀去PSGPECVD丝网印刷烧结测试分档分选包装*制绒和清洗*概述形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的：硅片表面的机械损伤层*logo硅片机械损伤层制绒：表面织构化*单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率绒面腐蚀原理*利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌，就称为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。反应式为：Si+2KOH+H2O→K2SiO3+2H2↑010302绒面光学原理*制备绒面的目的：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。0102绒面光学原理*陷光原理图示：影响绒面质量的关键因素*KOH浓度01异丙醇浓度02制绒槽内硅酸钾的累计量03制绒腐蚀的温度04制绒腐蚀时间的长短05槽体密封程度、异丙醇的挥发程度06化学清洗原理*HF去除硅片表面氧化层：HCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。注意事项*KOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗30分钟，送医院就医。太阳电池制造的核心工序*扩散PN结——太阳电池的心脏*扩散的目的：形成PN结太阳电池磷扩散方法*三氯氧磷（POCl3）液态源扩散01喷涂磷酸水溶液后链式扩散02丝网印刷磷浆料后链式扩散本公司目前采用的是第一种方法。03磷扩散工艺过程*清洗饱和装片送片扩散关源，退舟方块电阻测量卸片扩散装置示意图*POCl3磷扩散原理*POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，