2025年抗裂半导体封装,其制造方法以及所用制造设备.pdfVIP

乐民之乐者，民亦乐其乐；忧民之忧者，民亦忧其忧。——《孟子》

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布CN2025345A

(43)申请公2025.02.04

(21)C0

(22)申请日1997.03.25

(71)申请人LG半导体株式会社

地址韩国忠清北道

(72)发明人崔信

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人余朦

(51)Int.CI

H01L21/56

H01L21/98

H01L23/28

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

抗裂半导体封装,其制造方法以及所

用制造设备

(57)摘要

一种改进的抗裂半导体封装、其制

造方法及所用制造设备,用聚亚酰胺类材料

依次涂敷装于半导体封装中的芯片、引线

框的垫片、连线和焊膏,用作充当缓冲部件

的涂敷材料,从而能防止层间分离和破裂。

吾日三省乎吾身。为人谋而不忠乎?与朋友交而不信乎?传不习乎?——《论语》

制造半导体封装的方法包括以下步骤:将半

导体芯片贴到垫片上,电连接半导体芯片和

引线,在半导体芯片和引线的表面上形成涂

敷膜,并模制半导体芯片、引线和涂敷膜。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

太上有立德，其次有立功，其次有立言，虽久不废，此谓不朽。——《左传》

权利要求说明书

1.一种制造抗裂半导体封装的方法，包括以下步骤：

将半导体芯片贴到引线框的垫片上；

电连接半导体芯片和引线框的内引线；

在半导体芯片和引线的表面上形成涂敷膜；及

将半导体芯片、引线和涂敷膜模制于封装中。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，利用喷涂涂敷液的方法形成所述涂敷膜。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，利用滴涂涂敷液的方法形成所述涂敷膜。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，利用淀积工艺形成所述涂敷膜。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述涂敷膜是由聚亚酰胺类材料制成的。

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

6.根据权利要求2的方法，其特征在于，所述涂敷液的粘度为5-20泊。

7.根据权利要求3的方法，其特征在于，所述涂敷液的粘度为5-20泊。

8.根据权利要求2的方法，其特征在于，在喷涂了涂敷液后，再进行固化工艺。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于，所述固化工艺为热固化工艺。

10.根据权利要求9的方法，其特征在于，所述热是由红外线产生的。

11.根据权利要求8的方法，其特征在于，固化工艺的温度在100-500℃范围内。

12.根据权利要求8的方法，其特征在于，所述固化工艺进行5-180秒。

13.根据权利要求1的方法，其特征在于，在贴半导体芯片步骤后，进行形成涂敷

膜的工艺。

天将降大任于斯人也，必先