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《纳米集成电路软错误敏感性评估与缓解技术研究》
一、引言
随着科技的发展，纳米集成电路技术在各个领域得到了广泛应用。然而，纳米集成电路的软错误问题逐渐成为制约其进一步发展的关键因素。软错误是指由于物理效应引起的逻辑错误，如单粒子效应、电荷辐射等，对集成电路的可靠性和稳定性造成严重影响。因此，对纳米集成电路的软错误敏感性进行评估以及缓解技术研究显得尤为重要。本文将围绕纳米集成电路的软错误敏感性评估和缓解技术展开研究。
二、纳米集成电路软错误敏感性评估
1.软错误产生机制分析
纳米集成电路的软错误主要由单粒子效应引起。当高能粒子（如中子、α粒子等）与集成电路中的元件相互作用时，可能会引起元件状态
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