2025年十一种化学气相沉积（CVD）技术盘点.pdfVIP

为天地立心，为生民立命，为往圣继绝学，为万世开太平。——张载

十一种化学气相沉积（CVD）技术盘点

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多

种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金

材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导

入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的

材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，

它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技

术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，

使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相

沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学

沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不

断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家

盘点介绍一些CVD技术。

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使

其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一

种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将

基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保

持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反

应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。

在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化

学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉

光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激

发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的

结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针

孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和

有机膜。

高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）

HDP-CVD是一种利用电感耦合等离子体（ICP）源的化学气相

吾日三省乎吾身。为人谋而不忠乎?与朋友交而不信乎?传不习乎?——《论语》

沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也

称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更

高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD提供几乎独立的离子通

量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD配置的

另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的ICP-RIE。在预

算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两

种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，

例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP

CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的

填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对

于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔

时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙

的