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2、CMOS传输门电路的工作原理湖南科技大学设TP:|VTP|=2V，TN:VTN=2V?I的变化范围为－5V到+5V。?5V+5V?5V到+5V?GSNVTN,TN截止?GSP=5V?(-5V到+5V)=(10到0)V开关断开，不能转送信号?GSN=-5V?(－5V到+5V)=(0到-10)V?GSP0,TP截止1）当c=0，c=1时c=0=-5V，c=1=+5V2）当c=1，c=0时vI/vO湖南科技大学CTPvO/vI+5V–5VTNC+5V?5V?GSP=?5V?(－3V~+5V)=?2V~?10V?GSN=5V?(－5V~+3V)=(10~2)Vb、?I=?3V~5V?GSNVTN,TN导通a、?I=?5V~3VTN导通，TP导通?GSP|VT|,TP导通C、?I=?3V~3V湖南科技大学01010203040506传输门组成的数据选择器C=0TG1导通,TG2断开L=XTG2导通,TG1断开L=YC=10203040506传输门的应用湖南科技大学CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。参数系列传输延迟时间tpd/ns(CL=15pF)功耗(mW)延时功耗积(pJ)4000B751?(1MHz)10574HC101.5?(1MHz)1574HCT131?(1MHz)13BiCMOS2.90.0003~7.50.00087~223.1.8CMOS逻辑门电路的技术参数CMOS门电路各系列的性能比较3.2TTL逻辑门湖南科技大学3.2.1BJT的开关特性iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路vI=0V时:iB?ibs，iC?ics，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路vI=5V时:1.BJT的开关条件湖南科技大学A.截止状态①.Je、Jc皆反偏，ib=0，ic=0②.VO=VCE=VCC-iCRC?VCC③.可靠截止条件：VBE?0V。B.放大状态①.Je正偏,Jc反偏,iC=?iB；②.VO=VCE=VCC–iCRC，iC与iB增加VO减小。C.饱和状态①.Je正偏.Jc正偏；②.iB=IBS=ICS/?；③.iC=ICS=(VCC–0.7V)/RC?VCC/RC；④.VCES一般为0.1V~0.3V。三极管B-E和C-E之间相当于一个闭合的开关。湖南科技大学从截止到导通开通时间ton(=td+tr)从导通到截止关闭时间toff(=ts+tf)BJT饱和与截止两种状态的相互转换需要一定的时间才能完成。123452.BJT的开关时间基本BJT反相器的动态性能湖南科技大学 CL的充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压?O波形的上升时间和下降时间，导致基本的BJT反相器的开关速度不高。若带电容负载故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。3.2.3TTL反相器的基本电路湖南科技大学输出级T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号；Rb14kWRc21.6kWRc4130WT4DT2T1+–vIT3+–vO负载Re21KWVCC(5V)输入级中间级输出级1.电路组成输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度2.TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善）湖南科技大学（1）当输入为低电平（?I=0.2V）T1深度饱和截止导通导通截止饱和低电平T4D4T3T2T1输入高电平输出T2、T3截止，T4、D导通010203040506湖南科技大学01当输入为高电平（?I=3.6V）02T2、T3