碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 编制说明.docx

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《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1、立项目的和意义

碳化硅（SiC）半导体材料是继硅材料后新近发展起来的新一代功率半导体，是5G通信、电动汽车、轨道交通、新能源等产业发展的战略材料。美、欧、日等均将SiC半导体材料纳入国家战略，我国也通过科技重大专项、战略性新兴产业发展规划等积极支持SiC半导体材料研发、产业化。

堆垛层错是SiC单晶中的一类微观缺陷，是正常原子堆垛顺序中引入错误堆垛顺序的原子面而产生的面缺陷。层错在SiC衬底外延过程中会延伸到外延层中，并可能导致器件漏电流增加、栅氧化层质量降低、容易击穿等一系列问题。因此，层错的检测和研究对于SiC单晶的品质判定和提升有重要的意义。

现有标准中关于SiC单晶抛光片的层错没有明确的统一检测方法，造成企业、科研机构及研究学者对SiC单晶抛光片堆垛层错的识别和一致性判定存在困难。本标准的制定填补了国内SiC单晶抛光片堆垛层错测试技术领域的标准空白，有利于规范和统一SiC单晶抛光片堆垛层错测试操作流程，有利于提升SiC单晶的产品品质，促进国内SiC半导体材料在国内和国际市场的竞争力和影响力。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知》(国标委发[2024]16号])的要求，由山东天岳先进科技股份有限公司牵头负责制定了《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》，计划编号T-469，项目周期为16个月。由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

3、标准主编单位简况

山东天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年，主营业务是宽禁带半导体碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。天岳先进先后承担了国家863项目、“核高基”重大专项、山东省自主创新重大专项等研发与产业化项目近40项，开展了4-8英寸碳化硅衬底生长过程中的基础理论研究，解决了缺陷控制、掺杂工程和精密加工的关键技术问题，实现了国家核心产业战略物资碳化硅材料

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的自主可控。山东天岳历经十余年的不断创新和持续发展，现已成为国内碳化硅半导体材料龙头企业，跻身国际碳化硅衬底领域第一梯队。公司获得了2014年山东省技术发明一等奖、2017年济南市科技进步一等奖、2019年国家科学技术进步一等奖及2020年山东省科技进步一等奖，是国家单项冠军示范企业、专精特新重点“小巨人”企业、碳达峰“领跑者”企业；拥有核心专利500余项，并成为国家知识产权示范企业。

天岳先进高度重视标准工作，由知识产权及标准部联合研发部门、质量部门组成标准工作团队，共同致力于推动标准工作。公司共参与了20余项技术标准的制定及修订：包括2项SEMI标准、7项国家标准、2项行业标准。

4、主要工作过程

4.1起草阶段

本标准的制定工作由山东天岳先进科技股份有限公司牵头。2024年4月9日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会在济南主持召开了《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》的第一次工作会（任务落实），会议上进行了标准编制任务落实。

项目立项后，起草单位立即组织成立了标准起草工作组，讨论并形成了制定工作计划及任务分工。开展了碳化硅单晶抛光片光致发光法测试堆垛层错重复性和再现性测试验证工作。2024年5月，向验证单位下发了《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》测试要求及测试报告模板，至2024年8月份已收集到3家试验报告。2024年9月初，起草工作组完成《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》的讨论稿，并提交给全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处。

5、标准主要起草单位工作情况

本标准的主要起草单位为山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、北京天科合达有限公司、南京国盛电子有限公司、泰科天润半导体科技有限公司、西安龙威半导体有限公司，其中山东天岳先进科技股份有限公司为牵头单位，组织了标准起草和试验工作，广东天域半导体股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、北京天科合达有限公司、南京国盛电子有限公司、泰科天润半导体科技有限公司、西安龙威半导体有限公司参与标准的验证工作。在标准编制

过程中积极反馈意见，为标准文本的完成作出了贡献。

二、标准编制原则及确定标准主要内容的依据

1、编制原则

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