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摘要
等离子体刻蚀凭借其高效性、高精度、各向异性以及可控性,在半导体领域
得到广泛的应用。随着半导体行业的不断发展,对刻蚀精度的要求逐渐提高,对
刻蚀气体的反应机理研究也提出了更高的要求。然而,由于参与放电分子种类的
多样性、分子能级结构的复杂性以及分子转动振动方式的多样性,不同分子谱带
极易发生重叠,从而导致有效信息缺失。因此,对参与重叠分子谱带的分离重构
是深化分子光谱研究的一个重要方向。
基于上述问题,本文提出了一种基于光谱结构计算的多组分等离子体光谱特
征提取识别方法,对不同组分放电体系下的重叠光谱实现分离重构,提取参与重
叠的组分光谱光强。并通过建立不同分子体系放电的碰撞辐射模型对该方法提取
光强的准确性进行优化,从而实现重叠光谱分离重构。针对以上问题,本文主要
开展了以下三项研究。
基于分子结构理论的光谱能级分布计算方法,对四氟化碳体系以及四氟化碳
混氧体系放电过程中产生的双原子及三原子自由基光谱结构计算方法进行研究。
以CF和CF为例计算光谱结构分布,并研究了转动温度及分辨率的变化对分子光
2
谱特征的影响。依据计算出的分子光谱结构,对这两种分子不同重叠条件下的重
叠谱带特征变化进行研究,为判断参与重叠的光谱种类和数量提供重要依据。
提出了一种多组分等离子体光谱特征提取识别方法。利用理论光谱叠加获得
的叠加光谱特征随叠加条件的演化规律,判断参与重叠的粒子种类和数量。以谱
峰位置以及谱带范围为拟合效果评估标准,通过将参与重叠粒子的理论计算光谱
以及半经验半理论光谱与实际实验光谱分段拟合,实现重叠光谱的分离重构以及
光强提取,从而对等离子体放电过程中的中间体动力学过程进行研究。
分析了CF体系和CF/O体系放电过程中主要发生的分子动力学过程,分别
442
针对CF和CF/O建立了碰撞辐射模型。利用模型对放电过程中的电子温度、电
442
子密度及活性粒子浓度进行监测,诊断不同工况的放电状态。通过碰撞辐射模型,
能够计算出参与重叠粒子光谱的光强比。根据计算出的光强比,优化多组分等离
子体光谱特征提取识别方法,提高算法准确性。
本文提出的光谱特征提取识别方法能对氟碳系分子谱带进行有效提取,不仅
适用于等离子体刻蚀中的分子重叠光谱特征提取识别,还适用于其他放电条件相
近的分子光谱诊断工作,拓宽光学发射光谱的应用范围。
关键词:分子等离子体;光谱结构计算;多组分重叠光谱;特征提取识别
Abstract
Plasmaetchinghasbeenwidelyusedinsemiconductorfieldduetoitshighefficiency,
highprecision,anisotropyandcontrollability.CF4isoneofthemostwidelyusedetching
gasesduetoitshighselectivityandlowelectronandiondensity.Withthecontinuous
developmentofsemiconductorindustry,therequirementofetchingprecisionisgradually
increased,andtheresearchofreactionmechanismofetchinggasisalsoputforward
higherrequirements.
Asanimportantpartoftheemissionspectrumofmoleculargas,themolecularband
containsalotofinformationabouttheradiationtransitionofintermediates.Theprocess
ofcollisionionizationbetweentheintermediateandtheelectronandthefreerad
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