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一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN114429967A

(43)申请公布日2022.05.03

(21)申请号CN202210089178.2

(22)申请日2022.01.25

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号

(72)发明人刘金营

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人卢炳琼

(51)Int.CI

H01L27/22

H01L43/08

H01L43/10

H01L43/12

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种垂直自旋转移矩磁性随机存储

器及其制备方法

(57)摘要

本发明提供一种垂直自旋转移矩磁

性随机存储器及其制备方法，包括衬底、

固定铁磁层复合结构、沟槽、绝缘隧穿势

垒层、自由铁磁层、中间金属连接结构及

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外围金属连接结构；固定铁磁层复合结构

位于衬底上，包括交替排布的绝缘层及固

定铁磁层；沟槽贯穿固定铁磁层；绝缘隧

穿势垒层及自由铁磁层依次位于沟槽内；

中间金属连接结构位于沟槽内且覆盖自由

铁磁层；外围金属连接结构位于固定铁磁

层复合结构中与固定铁磁层相接触且对应

设置。本发明垂直自旋转移矩磁性随机存

储器由STT‑MRAM在竖向上堆叠组合，

在相同占地面积下，可存储双倍或更多倍

的信息，可提高存储器件的存储密度，且

可提高各层存储器“读”“写”的准确性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

实质审查的生效IPC(主分

类):H01L27/22专利申请

2022-05-20实质审查的生效

号:2022100891782申请

日

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权利要求说明书

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