宽禁带二维半导体在光电探测器中的应用.pdf

摘要

宽带隙二维范德瓦尔斯（2DvdW）材料在半导体器件研究中引起人们的兴趣。由于

其特殊的宽带隙能带结构，使得其在光电探测等方面发展迅速。然而，仍有一些因素限

制了宽禁带二维半导体材料的性能，开发具有高响应度和快速响应的良好光电探测器仍

然具有挑战性。硒化锗（GeSe）作为二维宽带隙半导体（WBSs）的典型成员，因其优

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异的柔性、优越的环境稳定性、超高的紫外吸收系数和显著的光谱选择性，在紫外光电

探测领域显示出巨大的潜力。然而，基于GeSe2的紫外探测器存在工作电压高、光电流

小的问题，阻碍了其实际成像应用。在本文中，构建了垂直堆叠的石墨烯/GeSe/石墨烯

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范德华异质结，获得了具有优异性能的光电探测器；还基于宽禁带SnS2材料设计了一

种近裂隙GeSe/SnS/InSe异质结构自供电光电探测器，实现了高灵敏度的宽带光电探测。

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主要的研究结果为：

（1）采用机械剥离和干法转移制备了垂直堆叠的石墨烯/GeSe/石墨烯范德华异质

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结，系统分析了不同厚度GeSe2的载流子传输机制和几个重要光电参数。通过石墨烯电

极在GeSe2中高效收集光激发载流子，从而获得了出色的紫外检测性能。当用405nm波

长的激光照射时，响应度达到了37.1AW-1、比探测率为8.83×1011Jones以及在355nm

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光照下显示出10的超高开/关比。此外，在GeSe2和石墨烯之间建立肖特基势垒并减小

通道长度，可将光响应速度提高到300。解决了其在实际应用中的超低光电流（pA）

和高工作电压，高功耗的问题。这些发现为未来垂直二维范德华异质结构光电探测器的

应用奠定了基础。

（2）将SnS作为空穴势垒层，制备了一种近裂隙的GeSe/SnS/InSe异质结构的高

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性能自供电宽带光电探测器。该器件显示出0.57V的超高开路电压（VOC），在355nm

处具有1.87AW-1的高功率响应率，以及自供电模式下8µ的快速响应时间。基于近裂

隙的能带排列，具有高电子迁移率的InSe层可以有效地收集来自GeSe层的光生电子，

以提高转换效率。此外，界面处的单极空穴势垒可以抑制Langevin重组，从而导致VOC

增强。值得注意的是，器件中光电流的各向异性比增强到3.5，高于GeSe光电探测器和

其他各向异性器件。这项工作为实现高灵敏度偏振敏感宽带光电探测器提供了机会。

关键词：宽禁带半导体，GeSe，偏振，近裂隙，宽带光电探测器

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ABSTRACT

2DvanderWalls(vdW)materialswithwidebandgaphavefollowedwithinterestintheresearchof

semiconductordevices.Andowingtotheirspecialwidebandgapenergybandstructure,theyhavedeveloped

rapidlyinphotoelectricdetection.Nevertheless,therearestillsomefactorsthatlimittheperformanceofwide

bandgap2Dsemiconductormaterials,developingagoodphotodetectorwithhighresponsivityandfastspeed

isstillcha