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（3）當Ue=UA+UD時（P）點Id上升（導通）Rb1減小出現負阻特性。Ue下降Ie上升，P點為峰點（開始出現負阻特性的工作點）這時峰點電壓U峰點電流IUePUDUAIPIVUVVUPIe
§10.1電力半導體器件
§10.5晶閘管觸發電路
§10.5.1對觸發電路的要求§10.5.2單結晶體管觸發電路
一、單結晶體管的結構、特性3、工作過程（4）當Ue下降至V點時，電阻Rb1不再減小（當Ie上升Ue上升,線性）電壓Uv穀點電流Iv，P-V之間稱為負阻區。UePUDUAIPIVUVVUPIe
§10.1電力半導體器件
§10.5晶閘管觸發電路
§10.5.1對觸發電路的要求§10.5.2單結晶體管觸發電路
一、單結晶體管的結構、特性3、工作過程二、可關斷晶閘管（GTO）VSGKA當UGK正時接通，當UGK負時關斷。
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）一、雙向晶閘管特點(1)可由觸發脈衝通斷(2)關斷比晶閘管快(3)控制功率IG大（比晶閘管）
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
一、雙向晶閘管二、可關斷晶閘管三、功率電晶體VTIbIeIcIeIcIb
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
一、雙向晶閘管二、可關斷晶閘管大功率的電晶體的特點（1）通斷由Ib控制（無關斷問題）（2）導通壓降低（比晶閘管） （0.3V～0.8V）（3）由於放大有限，所以Ib大，應 用複合管（達林頓）放大倍數增 加
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
一、雙向晶閘管二、可關斷晶閘管三、功率電晶體（4）大功率管工作電壓低，1400V以下（5）控制功率大，Ib連續且IG
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
一、雙向晶閘管二、可關斷晶閘管三、功率電晶體四、大功率二極體可以承受高電壓大電流的二極體，3000V6000V100A200A等。
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
一、雙向晶閘管二、可關斷晶閘管三、功率電晶體§10.2單相整流電路
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）可控矽的主要應用是交流變直流的整流電路。取代直流發電機組
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）分為
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）單相半波單相橋式三相零式三相橋式§10.2.1單相半波整流電路
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）一、帶電阻負載
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
§10.2.1單相半波整流電路VSUdU2RL
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
§10.2.1單相半波整流電路一、帶負載電阻當控制角為α時，0απ輸出電壓（平均值）（直流電）注：這時θ=π-a導通角1+COSα2Ud=0.45U2U2UgUdUVSα二、帶電感性負載當電源U2過零時，（ωt=kπ時）Id≠0當eL-U2〉0時，Id≠0，如IH時不關斷，直到eL-U2≤0時IdIH這時a+θπ，當L上升，θ上升，Ud和Id下降輸出電壓不能滿足要求。VS+-+--RLU2e-+
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
§10.2.1單相半波整流電路一、帶負載電阻UgUdUvs
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
§10.2.1單相半波整流電路一、帶負載電阻二、帶電感性負載三、續流二極體的作用Id為一直流（平均值為）IdVS=θ/2π（Id）晶閘管
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
§10.2.1單相半波整流電路一、帶負載電阻二、帶電感性負載VS+-+--RLU2e-+VS+-+--RLU2e-+V
§10.1電力半導體器件
§10.1.1晶閘管（SCR）（可控矽）
§10.2.1單相半波整流電路一、帶負載電阻二、帶電感性負載§10.2.2單相橋式可控整流
§10.1電力半導體器件
§10.1.1
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