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二、MOS管的工作原理以N沟道增强型为例PNNGSDUDSUGSUGS=0时D-S间相当于两个反接的PN结ID=0对应截止区第91页,共100页，星期六，2024年，5月PNNGSDUDSUGSUGS0时UGS足够大时（UGSVT）将P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。感应出电子VT称为阈值电压（开启电压）第92页,共100页，星期六，2024年，5月UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。PNNGSDUDSUGS第93页,共100页，星期六，2024年，5月UT（VT）iD=f(uGS)?uDS=常数三、增强型N沟道MOS管的特性曲线输出特性曲线转移特性曲线第94页,共100页，星期六，2024年，5月一个重要参数——跨导gmgm=?iD/?uGS?uDS=constgm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，gm为曲线的斜率。在输出特性曲线上也可求出gm。第95页,共100页，星期六，2024年，5月N沟道增强型MOS管的基本特性uGS＜UT，管子截止uGS＞UT，管子导通uGS越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大第96页,共100页，星期六，2024年，5月四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。转移特性曲线0IDUGSVTIDUDS0UGS=0UGS0UGS0输出特性曲线第97页,共100页，星期六，2024年，5月N沟道耗尽型MOS管的特点当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。第98页,共100页，星期六，2024年，5月1-5-2结型场效应管（J-FET）第99页,共100页，星期六，2024年，5月与双极型晶体管的比较1、只有多子参与导电，受温度影响较小（热稳定性较好），抗辐射能力较强。2、结型场效应管工作时PN结必须反偏、MOS管则由于栅极被绝缘，故场效应管的输入阻抗大大高于三极管。3、集成度高。4、使用注意事项。第100页,共100页，星期六，2024年，5月1-4-1基本结构--BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型1-4半导体三极管第59页,共100页，星期六，2024年，5月BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电结：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结第60页,共100页，星期六，2024年，5月BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管符号三极管的结构特点：基区特别薄，发射区掺杂浓度特别高，集电结面积特别大。第61页,共100页，星期六，2024年，5月一、实验测试方法ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB1-4-2电流分配和放大原理第62页,共100页，星期六，2024年，5月结论:1.IE=IC+IB3.IB=0时,IC=ICEO（穿透电流）4.要使晶体三极管处于放大状态,发射结必须正偏,集电结必须反偏。第63页,共100页，星期六，2024年，5月二.电流放大原理*BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入基区的电子少部分与基区的空穴复合，形成复合电流IBE，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。第64页,共100页，星期六，2024年，5月BECNNPEBRBECIE集电结反偏，集电区少子漂移形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO?ICEIBEICE从发射区扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。第65页,共100页，星期六，2024年，5月IB=IBE-ICBO?IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO?ICEIBE第66页,共100页，星期六，2024年，5月ICE与IBE之比称为电流放大倍数无数次试验发现：漂移到集电区的电子数