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半导体失效分析--C-SAM-扫描声学显微镜工作原理介绍.docxVIP

半导体失效分析--C-SAM-扫描声学显微镜工作原理介绍.docx

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半导体失效分析工具介绍

C-模式扫描声学显微镜工作原理

集成电路(IC)封装的可靠性在很多方面取决于其机械完整性。由不良的粘合,空隙,微裂纹或分层引起的结构缺陷的影响在电气性能特征中可能并不明显,但可能导致过早失效。C模式扫描声学显微镜(C-SAM)(C-ModeScanningAcousticMicroscopy)是用于IC封装非破坏性故障分析的出色工具。它对界面异常(例如不良的粘合,分层)表现出良好的敏感性。空隙,裂缝和异物夹杂物。使用C-SAM的非破坏性超声波测试方法是一种常见的检测方法,用于检测半导体中的分层或裂纹故障,结果可靠且相对准确。

C模式扫描声学显微镜(C-SAM)的原理:

声学成像利用横向声波的高频束(1-50MHz)与测试样品之间的相互作用来定位不同声阻抗的区域。声波在不同声阻抗的界面处反射,并在穿过样本材料时衰减。几乎完全反射发生在声阻抗差较大的界面上,例如金属与空气之间的界面。在声阻抗不变的界面上不会发生反射。通过分析透射或反射的声束,可以定位地下缺陷。

三种模式用于显示脉冲回波信息。在A模式下,不对换能器进行x-y扫描,并且从某个点生成声音信息。在B模式下,换能器沿一条线扫描。生成二维图像,其中一个轴是换能器的x位置,另一个轴是反射脉冲的飞行时间。反射脉冲的幅度被映射为飞行时间轴上的强度。在B模式下创建的图像类似于样本的横截面。在C模式下,换能器以光栅方式移动。生成二维图像,其中图像中的x-y位置对应于换能器的x-y位置。图像上给定x-y位置的强度与给定飞行时间上反射信号的幅度成比例。使用该时间窗口,可以在样品中特定深度的缺陷范围内生成C模式图像。

用于微电子故障分析的声学成像包括三种利用超声成像技术的技术。三种声学显微镜技术分别是扫描激光声学显微镜(SLAM),扫描声学显微镜(SAM)和C模式扫描声学显微镜(C-SAM)。所有这三种技术都是非破坏性的。

扫描激光声显微镜(SLAM)是一种透射显微镜系统,它使用换能器产生超声波,并使用激光束检测透射波。由于超声波在空气中迅速衰减,因此使用液体介质(例如水或Flourinert?)来提供更好的声音传输特性。随着声波传播通过样品,空隙和不相似的界面将减少声波的传输。然后,当样本撞击盖玻片和液体耦合剂之间的界面时,位于样本背面的激光检测器便会检测到它们。然后,可以将空隙,异种界面和其他改变声波传输特性的缺陷检测为不良声传输区域。可以通过扫描激光探测器将该信号转换为地图。

扫描声显微镜(SAM)是一种表面测量系统,用于观察样品表面的反射图像。在很高的声频下,可以获得与光学图像相似的待检查表面的图像。该技术还可以得出有关材料弹性特性的信息。可以在大约10秒钟内产生完整的图像。该技术并未广泛用于IC故障分析。

C-模式扫描声显微镜(C-SAM)是一种检查来自样品外部和内部接口的反射波的仪器。换能器既充当发送者又充当接收者(见图)。一个非常短的声脉冲进入样品,并且在零件内的特定界面处产生回波(参见图)。返回时间是从界面到换能器的界面距离的函数。这可以在图中看到,其中来自初始界面的回波在大约0.5微秒后显示为信号,而来自内部分层的回波在大约1微秒后显示为信号。

可以设置电子门来检查与来自特定界面的回声相对应的特定时间段。在C-模式下,换能器可以生成界面图。该数据包含有关包装内接口质量的信息。该模式对于检查封装IC中的分层,空隙和裂纹以及芯片附着质量最为有用。

据报道,模塑料中的声衰减在15MHz时为40dB/cm,并随着频率的增加而迅速增加。封装优先衰减较高的频率。结果,标准PLCC封装的声学检查被限制在大约20MHz。但是,通常以高达90MHz的频率检查薄塑料包装(mm)。

衰减也会影响深度分辨率,尤其是在塑料包装检查中。宽带回波脉冲的衰减周期大约为1.5l,每次反射后都会形成一个“死区”。在“死区”中,如果不使用频域分析方法,以后的反射将无法暂时解决。随着中心频率的增加,该死区变得更薄。

在陶瓷封装中,衰减要小得多(.05dB/cm),但声速几乎是模塑料的三倍。因此,Al2O3在50MHz下的一个波长为200mm,大约等于20MHz下模塑料中的一个波长。在Al2O3中,在50MHz的中心频率和1.6mm的深度处观察到接近一个波长的横向分辨率。

反射声成像的灵敏度优于该技术的横向分辨率。例如,在20MHzC

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