光刻与刻蚀工艺.ppt

适合1：1及缩小的投影光刻可用水溶液显影，溶涨现象小抗干法腐蚀的能力较强负胶也有一些优点，如:粘附性好，抗湿法腐蚀能力强等可涂得较厚(2-3um)不影响分辨率，有较好台阶覆盖性分辨率高抗热处理的能力强实际工艺中正胶用的比较多，why?光刻胶的主要成分树脂(高分子聚合物)光照不发生反应，保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，决定光刻胶薄膜的膜厚、弹性和热稳定性等光刻胶的主要成分光敏剂（PAC）受光辐照之后会发生化学反应光刻胶的主要成分溶剂 使光刻胶在涂到硅片表面之前保持为液态光敏度，折射率光学性质固溶度、粘滞度、粘着度、抗腐蚀性、热稳定性、流动性和对环境的敏感度力学和化学性质纯度、金属含量、可应用的范围、储存的有效期和燃点其它特性光刻胶的基本属性对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。光刻胶的对比度越高，光刻胶层的侧面越陡，线宽描述掩模尺寸的准确度就越高。且陡峭的光刻胶在干法刻蚀中可以减小刻蚀过程中的钻蚀效应，从而提高分辨率。对比度光刻胶的基本属性在相同的分辨率下，与负胶相比可以使用较厚的正胶，从而得到更好的平台覆盖并能降低缺陷的产生，同时抗干法刻蚀的能力也更强。正胶不发生膨胀，负胶发生膨胀现象。故正胶分辨率高于负胶，负胶可通过减小厚度来提高分辨率在显影过程中，若显影液渗透到光刻胶中，光刻胶的体积就会膨胀，这将导致图形尺寸发生变化，影响分辨率。光刻胶的膨胀光刻胶的基本属性光刻胶的基本属性光敏度指光刻胶完成所需图形曝光的最小曝光剂量曝光剂量（mj/cm2）＝光强（单位面积的功率）×曝光时间光敏度由曝光效率决定曝光效率：参与光刻胶曝光的光子能量与进入光刻胶中的光子能量的比值正胶比负胶有更高的曝光效率，故正胶的光敏度大，光敏度大可减小曝光时间01抗刻蚀能力图形转移时，光刻胶抵抗刻蚀的能力。光刻胶对湿法腐蚀有比较好的抗腐蚀能力，对大部分的干法刻蚀，光刻胶的抗刻蚀能力则比较差02热稳定性通常干法刻蚀的工作温度比湿法腐蚀要高，所以光刻胶应能够承受200℃以上的工作温度光刻胶的基本属性在刻蚀过程中，如果光刻胶黏附不牢就会发生钻蚀和浮胶，这将直接影响光刻的质量，甚至使整个图形丢失。01增强黏附性的方法：涂胶前脱水处理使用增粘剂（HMDS)提高坚膜的循环温度02黏着力光刻胶的基本属性光刻胶是由溶剂溶解了固态物质（如树脂）所形成的液体，其中溶解的固态物质所占的比重称为溶解度光刻胶的溶解度01影响甩胶后光刻胶膜厚光刻胶的粘滞度02光刻胶的基本属性STEP3STEP2STEP1光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量和金属含量有关。光刻胶的生产过程中需要经过严格的过滤和包装，且需要在使用前过滤。随存储时间的增加，光刻胶中的微粒数量还会继续增加。光刻胶中的金属含量主要指钠和钾的含量，钠和钾会带来污染，降低器件的性能。光刻胶的基本属性微粒数量和金属含量光刻胶中的成分随时间和温度发生变化ACB通常正胶的寿命高于负胶的在存储期间，由于交叉链接的作用，正胶中的高分子成分会增加，感光剂不可溶，结晶成沉淀物。储存寿命光刻胶的基本属性Introduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版lithography掩膜版掩膜版上的图形代表一层IC设计，将综合的布局图按照IC工艺分成各层掩膜版，如隔离区为一层、栅极区为另一层等，这些掩膜版的组合就是一组IC工艺流程。掩膜版是由电子束或者激光束直接刻写在铬层上的。通常，制作一个完整的ULSI芯片需要20到25块不同的掩膜。传统掩膜版是在石英板上淀积薄的铬(ge)层，在铬层上形成图形。掩膜板的制造掩膜板的制造掩膜版的构成石英玻璃板铬层铬的氮化物或氧化物+铬+抗反射层掩膜版的保护膜：密封掩膜版，防止空气中的微粒以及其它形式的污染掩膜版好坏的关键因素：缺陷密度缺陷的产生原因制造掩膜版时产生图形曝光时产生缺陷密度对IC成品率的影响其中：D为每单位面积致命缺陷的平均数，A为IC芯片的面积，N为掩膜版的层数掩膜板的制造要提高大面积芯片的成清洗是非常重要的。品率，掩膜版的检查与在IC工艺中，光学图形曝光系统追求较佳的分辨率、较深的聚焦深度与较广的曝光宽容度01基本原理是在掩膜版的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层，称为移相器，使光波通过这个介质层后产生180度的相位差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，从而抵消图形边缘的光衍射效应，提高曝光的分辨率。02分辨率增强技术－移相掩膜移相掩膜（phase-shiftingmask,PSM)01Introduction02