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技术与信息
技术与信息
电子级多晶硅生产中间产品
氯硅烷中痕量磷含量检测方法进展
11,211
杨晓青，薛心禄，岳峥，李蔚
(1.青海芯测科技有限公司，青海西宁810000；
2.青海新能源材料与储能技术重点实验室，青海西宁810000)
摘要：采用改良西门子法在生产电子级多晶硅过程中，精馏中间产物氯硅烷通入多晶硅还原炉，通过氢气还原氯硅烷生
产多晶硅，其中氯硅烷中存在的各种形式的磷作为施主杂质，对电子级多晶硅产品质量影响重大。文章系统阐述电子级
多晶硅生产中间产品氯硅烷中痕量磷含量的检测方法及研究进展，通过比较各种氯硅烷中痕量磷含量杂质检测方法的
优缺点，以供日常检测参考。
关键词：磷化氢；磷；氯硅烷；多晶硅
中图分类号：TQ127.2文献标志码：A文章编号：1008-4800(2024)10-0059-03
DOI:10.19900/ki.ISSN1008-4800.2024.10.015
ProgressintheDeterminationofTracePhosphorusContentin
theIntermediateProductChlorosilaneProducedfromElectronicGradePolysilicon
11,211
YANGXiaoqing,XUEXinlu,YUEZheng,LIWei
(1.QinghaiCoreMeasurementTechnologyCo.,Ltd.,Xining810000,China;
2.QinghaiKeyLaboratoryofNewEnergyMaterialsandEnergyStorageTechnology,Xining810000,China)
Abstract:Intheprocessofproducingelectronicgradepolysiliconbymodif iedSiemensprocess,theintermediateproductsof
rectif icationarefedintoapolysiliconreductionfurnacetoproducepolysiliconbyhydrogenreductionofchlorosilane,Various
formsofphosphorusinchlorosilaneasdonorimpuritieshavegreatinfluenceonthequalityofelectronicgradepolysiliconproducts.
Thispapersystematicallyexpoundsthedetectionmethodsandresearchprogressoftracephosphoruscontentinchlorosilane,
anintermediateproductofelectronicgradepolysiliconproduction,andcomparestheadvantagesanddisadvantagesofvarious
impuritydetectionmethodsoftracephosphoruscontentinchlorosilanetoprovidereferencefordailydetection.
Keywords:phosphine;phosphorus;chlorosilane;polycrystall
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