MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法.docxVIP

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MEMS高深宽比结构深度测量方法光谱反射法

1范围

本标准规定了MEMS高深宽比结构深度光谱反射测量的测量原理、测量设备、测量要求、测量方法、测量结果的不确定度评定、合成相对不确定度评定、扩展相对不确定度评定以及测试报告等内容。

本标准适用于多种半导体材料上MEMS高深宽比刻蚀结构的深度测量。刻蚀结构包括但不限于单独和阵列的沟槽、柱和孔等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

SJ/T11707-2017硅通孔几何测量术语

3术语和定义

SJ/T11707-2017界定的术语和定义适用于本文件。

4测量原理

光谱反射法测量结构深度的机原理是基于反射干涉光谱模型，法向入射的宽光谱光束由高深宽比结构的上表面和底部反射并发生干涉，在半导体基材料折射系数和标称深度一定的条件下，深度是通过所测得的光学厚度得到的。该方法的优点是结构底部的反射光强不影响深度解算值，单次对准即可得到高深宽比结构的深度值。

图1光在高深宽比沟槽结构垂直入射和反射示意图

入射光经沟槽顶部与底部表面反射，来自沟槽顶部和底部的反射光产生光学干涉效应，沟槽结构的单波长反射光强信号数学表达式为：

I=a(rE0)2+f(1a)(rE0)2+2√af(1a)(rE0)2cos(2π)…………（1）

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式中：

I——接收到的总反射光强；

a——测量光斑照明面积内沟槽顶部所占光斑面积的比例；（1-a）——沟槽底部光斑所占面积的比例；

E0——入射到沟槽结构上下表面的电场强度；r——半导体材料的反射系数；

d——沟槽的深度；

λ——入射光的波长；

f——有效面积与沟槽面积的比值。

如图1所示。对公式（1）反射光谱进行快速傅里叶分析（FFT）解算出结构深度d，则f由公式（2）得出：

f=()2=()2……………（2）

式中：

Reffective——沟槽底部有光线照射的有效尺寸；Rtrench——沟槽的开口宽度；

Dmax——光束最大可进入深度。

5测量设备

光谱反射高深宽比结构深度测量系统包括宽光谱光源、LED光源、相机、光谱仪、显微物镜、分光棱镜、准直镜等。宽光谱光源和光学元件、光谱仪配合，获取样品的反射光谱。LED光源经由光学元件在样品表面形成大视场照明。系统软件用于将深度测量系统的测量信息进行数据处理与结果显示。

6测量要求

6.1测量环境要求

除非另有规定，测量环境条件应满足以下要求：环境温度：15℃~35℃;

环境湿度：20％～80%;

环境光照：室内照明环境，避免外界强太阳光照干扰；

振动与干扰：无影响测量结果的光噪声，明显气流、电磁辐射和机械振动。6.2被测高深宽比结构样品洁净环境要求

环境洁净，避免灰尘对样品表面的污染造成对测量结果的影响。

7测量方法

7.1概述

深度测量系统结构组成如图2所示。宽光谱光源由光纤端口耦合进入光学测量系统，依次通过准直镜、筒镜和物镜形成微光斑，用于单体和阵列沟槽的深度测量，反射光谱由光谱仪采集。LED光源和透镜、物镜构成科勒照明形式，既实现大视场样品照明，又用于过焦扫描显微成像对于高深宽比结构线宽测量。样品的反射光谱和图像数据传输给传送给计算机测量系统软件进行数据处理（如图3所示）。

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图2高深宽比结构深度测量系统原理示意图

图3深度测量系统测量软件流程图

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7.2测量位置选择

测试开始之前，通过光学显微图像选择无明显污染物和缺陷的区域内的高深宽比结构进行测试。

7.3测量步骤

7.3.1光学系统光强度校正：将已知反射率的标样安装在样品台上，利用相机观察图像调焦至清晰位置；测量反射光谱强度，用于计算深度测量系统的入射光强度谱。通常测量10次，取平均值。

7.3.2深度测量：将被测MEMS高深宽比结构样品安装在样品台上，利用相机图像调焦至清晰位置，光谱仪曝光设置为3秒，测量样品的反射光强度谱。由深度测量软件系统根据系统入射光强度谱和样品反射光强度谱，利用干涉光谱分析原理计算并显示样品的深度值。通常测量10次，取平均值。

8测量结果的不确定度评定

8.1A类不确定度

根据贝塞尔公式计算深度测量值的标准差，与10次测量深度平均值进行比对分析，并记录到附表1中，记为uA，计算公式如下：

uA=,(n=10)