溅射薄膜制备技术.pptVIP

二体弹性碰撞动量守恒：能量守恒：能量转移函数λm2m10uv2v1sin?m1m2?v1碰撞前碰撞后所以电子不能溅射当m1m2时，重离子入射轻靶，此时，123654当m1m2时，当m1=m2，?=0时，λ＝1，为最大值，完全能量转移v2??v1v2=2v1溅射率的表达式前提：线形级联碰撞理论；非晶靶模型；二体碰撞近似；原子作用势为Thomas-Fermi势平均表面势垒；垂直入射011969年，Sigmund给出，当离子能量1keV：02表面势垒，一般取升华能03碰撞阻止能04若考虑原子的相互作用：一、优点：第五节、溅射的特点一、优点：任何物质均可以溅射尤其是高熔点、低蒸气压元素和化合物不论是块状、粒状的物质都可以作为靶材溅射膜与基板之间的附着性好溅射原子的能量～10ev，蒸发～0.1ev表面迁移强，溅射清洗作用，伪扩散层溅射镀膜膜密度高，针孔少，且膜层的纯度较高溅射镀膜中，不存在坩埚污染现象膜厚可控性和重复性好缺点（针对二极溅射）溅射设备复杂、需要高压装置；溅射淀积的成膜速度低，真空蒸镀：0.1～5μm/min，溅射：0.01～0.5μm/min。基板温升较高和易受杂质气体影响等。12蒸发：热交换过程，气化过程，蒸发粒子能量低、附着力低；溅射：动量交换过程，能量交换率高，溅射粒子能量高，附着力好。1、淀积粒子的过程蒸发：余弦分布，膜厚分布不均；溅射：轴平面对称性分布，状态与入射粒子动能有关。2、淀积粒子的角分布第六节、蒸发与溅射的比较01蒸发：要出现分馏，膜成分偏离源组分，各元素的蒸发速率相差较大，膜成分随蒸发时间而变溅射：膜成分与靶材接近，各元素间溅射速率差异小（1）粒子的产生过程02蒸发：不带电，极少热电子发射；溅射：离子种类多，性质各异，中性原子、正负离子、高能电子、光子、低能原子或离子团、气体分子、解吸附原子分子、入射离子。4、合金的蒸发、溅射不同3、逸出粒子性质蒸发：真空度10-5~10-6Torr，?＞源—基距，淀积粒子几乎不发生碰撞，直线淀积，薄膜不均匀；溅射：真空度10-2~10-4Torr，?＜源—基距，溅射原子动能＞蒸发原子动能，有净化和粗化表面作用，促进吸附粒子迁移与核生长；溅射离子入射可渗透到几个原子层厚度，产生缺陷，使基板晶体结构畸变；溅射入射离子可使成核小岛瞬间充电，有利于小岛聚集，晶核密度大，晶粒尺寸小。（2）迁移过程（3）成膜过程第七节、溅射类型213二极溅射：靶为阴极，基片为阳极，由辉光放电产生等离子体工作气压：1～10Pa缺点：溅射参数不易独立控制，工艺重复性差；1真空度低，1-10Pa，方能维持放电。2残留气体对膜层的污染较严重。3淀积速率低，小于10nm/min；4基板的温升高，辐照损伤大；5靶材必须是良导体（直流）。偏压溅射：二、偏压溅射基片与阳极分离，在基片上加偏压。二极溅射中：基片与阳极同电位偏压的作用若加负偏压（基片电位低于阳极电位）可以提高薄膜的纯度和附着力。除掉吸附气体；离子轰击基片除掉附着力差的淀积原子；清洗作用。2.偏压可改变薄膜的结构a偏压在（-100～+10V）四方结构，电阻率高；b偏压-100V，体心立方结构，电阻率低。偏压可改变薄膜中杂质离子的浓度在负偏压大于20v以上时，电阻率迅速上升，O2已从钽膜中溅射出来。当负偏压较高时，电阻率逐渐上升，Ar渗入薄膜。二极溅射：放电靠离子轰击阴极发射二次电子来维持，此需较高的工作气压。三极溅射：由热阴极发射电子来维持放电，同时使靶电位低于等离子体电位，阳极和基板支架分离，阴极和靶分离。四极溅射：在三极溅射的基础上增加辅助阳极，作用是使放电更加稳定。阳极线圈靶基片热阴极等离子三、四极溅射示意图稳定化电极三、射频溅射为什么直流溅射不能溅射绝缘靶溅射条件：靶电位等离子体电位正离子轰击靶，99％以上注入，使靶电位升高射频溅射原理第一周期Thedisparityinelectronionmobility?positivelycharged,electrodedrawsmoree-currentbut?nochargetransferth