无机材料第二章合成气相固相.pptVIP

化学气相沉积的分类Page*压力AtmosphericpressureCVD(APCVD)Low-pressureCVD(LPCVD)UltrahighvacuumCVD(UHVCVD)10?6Pa前驱物状态AerosolassistedCVD(AACVD)DirectliquidinjectionCVD(DLICVD)Metalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)辅助活化Plasma-EnhancedCVD(PECVD)Remoteplasma-enhancedCVD(RPECVD)Microwaveplasma-assistedCVD(MPCVD)CombustionChemicalVaporDeposition(CCVD)HotwireCVD(HWCVD)/hotfilamentCVD(HFCVD)h化学气相沉积-设备Page*化学气相沉积-设备-管式Page*化学气相沉积-设备-箱式Page*化学气相沉积Page*01前驱物扩散02前驱物分解03吸附04表面反应05表面扩散06嵌入晶格07副产物脱附08副产物扩散化学气相沉积-薄膜制备Page*非晶态多晶单晶举例：铌酸锂（LiNbO3） 锂的β-二酮化合物+铌的烷氧化物（Nb2(OEt)10）作为起始反应物，在含O2的Ar气流中分别将Li和Nb的化合物加热到520K、470K，然后一起通过一个加热到720K的反应管，得到LiNbO3固体。原子层沉积AtomicLayerDeposition(ALD)1974byDr.TuomoSuntolaandco-workersinFinland将合成分成两个“半反应”两种前驱物分段进入反应腔半反应具有自限性ALD-Al2O3Page*ALDPage*适用范围小缺点厚度精确可控组成精确沉积速度慢低温，条件温和，基底无特殊要求大面积均匀优点MOCVD：Page*GaN (3.4eV)Ga(CH3)3?+?NH3→GaNJapan(ShujiNakamura,nowatUCSB)developedthe1stgreen,blue,violetwhiteLEDswithGaNsemiconductors(epitaxialMOCVDonasapphiresubstrate-1993)，the1stblue-lightsemiconductorlaser(1995)￥￥￥$$$Blue,greenandwhiteLEDtechnologyhascontinueditslarge-scalecommercialgrowthresultinginrevenuesexceeding$3billionin2004.WhiteLEDsareresponsibleforover50%ofthetotalGaNrelatedLEDmarket.SalesforBluelaserdiodesLEDsareexpectedtoreach$4.7billionby2007.IndustryexpertsestimatethemarketforbluelasersinthenextgenerationofDVDandCDplayersalonewillexceed$1billion.ShujiNakamuraPage*1954年出生于日本爱媛县濑户町，1977年德岛大学工学院电子工程学士毕业，1979年德岛大学电子工程硕士学位毕业，同年进入日亚化学(Nichia)1988年日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学...1990年，Nakamura先对GaN生长工艺MOCVD做了改进，提出了双流送气法；1992年，他用改进的MOCVD去生长p型GaN，通过热退火工艺，消除了氢钝化的影响；1992年，他成功生长出了高质量InGaN单晶层；1993年，Nakamura制作出了世界上第一个蓝光GaN的LED；1995年，为提高发光效率，他基于多量子阱结构，制作了世界上第一个脉冲式的InGaN?LED；1995年，没过多久，他又制作出了世界上第一个连续光发射的InGaN?LED；