TNXCL-300 mm极低氧含量硅单晶抛光片.pdf

ICS

CCS

NXCL

宁夏材料研究学会团体标准

T/NXCLXXXX—2023

300mm极低氧含量直拉硅单晶抛光片

300mmextremelylowoxygencontentsinglecrystalineCzochralskisiliconpolished

wafers

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

宁夏材料研究学会  发布

T/NXCLXXXX—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由宁夏材料研究学会提出。

本文件由宁夏材料研究学会归口。

本文件起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有

限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司。

本文件主要起草人：王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王

忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺。

I

T/NXCLXXXX—2023

300mm极低氧含量直拉硅单晶抛光片

1范围

本文件规定了300mm极低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方

法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。

本文件适用于直径300mm极低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，

产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

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