电子行业存储芯片周度跟踪：西部数据减少NAND供应，存储市场或于Q2复苏-250210-甬兴证券-10页.pdf

电电子子

行业研究/行业周报

证西部数据减少NAND供应，存储市场或于Q2复苏

券

研——存储芯片周度跟踪（2025.02.05-2025.02.07）

究

报◼核心观点

告NAND：西部数据2025年或将逐步减少NAND供应。根据增持(维持)

行DRAMexchange，上周0207）NAND颗粒22个品类现货行业：电子

价格环比涨跌幅区间为-1.18%至2.94%，平均涨跌幅为0.18%。其中

业

16个料号价格持平，4个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据科日期：yxzqdatemark

研2025年02月10日

创板日报报道，对于NAND，西部数据预计收入将环比下降15%左

究

右，预计2025年逐步减少市场供应。分析师：陈宇哲

DRAM：铠侠宣布开源AiSAQ技术，可降低生成式AI系统中的E-mail：chenyuzhe@yongxingsec.co

DRAM需求。根据DRAMexchange，上周0207）DRAMm

SAC编号：S1760523050001

18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.79%至2.29%，平均涨跌幅为联系人：林致

0.08%。上周7个料号呈上涨趋势，11个料号呈下降趋势，0个料号E-mail：linzhi@

价格持平。根据CFM闪存市场报道，铠侠宣布开源其全新全存储SAC编号：S1760123070001

ANNS产品量化(AiSAQ)技术，这是一种针对SSD优化的新型“近似

最近邻”搜索(ANNS)算法，它为检索增强生成(RAG)提供了可扩展的近一年行业与沪深300比较

性能。电子沪深300

HBM：三星电子：2025年HBMbit供应量将扩大到2024年两倍。60%

根据CFM闪存市场报道，三星电子预计第二季度客户需求将从8层46%

堆叠过渡到12层堆叠。对于16层堆叠HBM3E，虽然三星电子预计32%

客户目前还不会有任何商业需求，但已生产并送样给主要客户进行技18%

行术验证。4%

业市场端：移动和PC客户的库存调整将持续到第一季度，存储市场需-10%

周求将从2025年第二季度开始恢复。根据CFM闪存市场报道，三星电02/2404/2407/2409/2411/2402/25

报资料来源：Wind，甬兴证券研究所

子预计短期内移动和PC客户的库存调整将持续到第一季度，存储市

场需求将从2025年第二季度开始恢复。对于服务器应用，随着对AI

基础设施的投资持续进行，基本需求保持稳定，一旦GPU供应改