《无线光通信技术——从理论到前沿》课件_第2章.pptx

第2章系统介绍;

2.1光发射机;

光发射机把电信号转换为光信号的过程(常简称电/光(E/O)转换),是通过电信号对光的调制来实现的。目前有直接调制和间接调制(或称外调制)两种调制方案,如图2－1所示。直接调制是用电信号直接调制半导体激光器或发光二极管的驱动电流,使输出光随电信号的变化而变化,从而实现调制。这种方案技术简单、成本较低、容易实现,但调制速率受到激光器频率特性的限制。;

外调制是把激光的产生和调制分开,用独立的调制器调制激光器的输出光。目前有多种调制器可供选择,最常用的是电光调制器。这种调制器是利用电信号的改变而变化来电光晶体的折射率,使通过调制器的光参数随电信号的变化而变化来实现调制。外调制的优点是调制速率高,缺点是该技术复杂、成本较高,因此只在大容量的波分复用和相干光通信系统中使用。;

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2.1.1光源

固态发光器件本质上是正向偏压工作的二极管,二极管输出的光强与驱动电流近似呈线性相关。该输出光强是由注入的大量载流子以发射光子的形式释放能量,再重新组合得到的。

为了保证以较高的复合概率产生发射光子,发光器件由直接带隙半导体材料构成。在直接带隙半导体材料中,导带极小值和价带极大值对应于相同的波矢量(k)。因此,产生复

合跨越带隙时动量可保持不变,并由波矢量表示(如图2－2所示)。;

通过该过程发射的大部分光子具有能量Ephoton=Eg=hν,其中,Eg是带隙能量,h是普朗克常数,ν是以赫兹为单位的光子频率。该方程可以根据发射光的波长表示:

式中,λ为光的波长(单位为nm),Eg是材料带隙的能量。;

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1.LED

如前文所述,低成本光电元件的最佳应用波段为780~950nm。化合物半导体GaAs具有约1.43eV的带隙,即直接带隙,与通过式(2.1)计算的880nm的波长相对应。

大多数为带隙准备的LED通常为双异质结构。这种结构是通过在低带隙材料的任一侧上放置两种宽带隙材料,并适当掺杂其它材料形成二极管而得到的。双异质结构LED的

典型示例如图2－3所示。;

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使用双异质结构,可以将注入的载流子限制在明确规定的区域。这种限制使得注入的载流子集中于有源区中,同时也减小了辐射复合时间常数,改善了设备的频率响应。这种

限制载流子的另一个优点是产生的光子也被限制在特定的区域。;

使用图2－3中的LED结构,可以根据驱动电流得出器件输出光功率的表达式:

式中,Pvol是每单位器件体积的输出功率,J是施加的电流密度,hν是光子能量,d是有源区域的厚度,B是辐射复合系数,τn是有源区域中的电子寿命,q为电子电量,n0和P0分别为热平衡状态下活性层中的电子和空穴密度。;

LED的另一个重要特性是由于自发热特性导致的器件性能变化。当驱动电流流过器件时,会因电阻和低效率器件的存在而产生热量。热量的累积将使温度升高,并减少对有

源区域中载流子的限制,使得大部分载流子具有足够的能量来冲破势垒,从而降低器件的内部量子效率。输出电流的非线性下降与输入电流的关系如图2－3所示。;

2.LD

LD是从基础LED制造技术发展而来的。虽然LD仍然依赖于载流子在带隙上的转变来产生辐射光子,但是其对器件结构的改进允许这些器件在窄光带上产生有效相干光。;

不像LED那样可以发出与驱动电流大致成比例的光强,LD是阈值器件。如图2－4所示,在低驱动电流下,自发辐射占主导地位,该设备本质上表现为低强度LED。在电流超

过阈值Ithreshold之后,受激辐射占主导地位,此时该装置具有高光学效率,对应于图2－4所示的大斜率。在受激辐射区域,器件发出的光强与驱动电流近似呈线性变化。;

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3.LED与LD的比较

LD相对于LED的主要优势在于其工作速率在受激辐射条件下,复合时间常数比自发复合时小一至两个数量级。这使得LD能以千兆赫兹数量级的脉冲速率工作,而LED只能

在兆赫兹数量级内工作。

LD的光学特性随器件自身温度和工作时长的变化比LED更加明显。与LED的情况一样,LD总的趋势是随着温度的升高和工作时间的加长,辐射功率将降低。然而,不同的

是,LD中的阈值电流以及光学特性的斜率会随着温度的变化或器件的老化而急剧变化。;

LD在无线光通信应用中的一个重要限制是必须将激光输出限制在人眼安全的范围内。由于发射辐射的相干性以及射出辐射的高强度,输出光束必须被散射,以降低能量密度。LED不是光学点光源,LD同样也不是,它们都可以在保证人眼安全的前提下发射出更高的功率。表2.1给出了无线光通信应用中LD和LED特性的比较。;;

2.1.2调制

1.基带调制

在基带调制中,承载信息的电信号对L