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硅NPN平面晶体管工艺参数设计及管芯制造

作者：第一组田野0442023050

指导老师：袁菁

摘要：对给定放大倍数为50、击穿电压我50-80V的NPN型晶体管的设计，制造。

由于是给定的N型衬底，击穿电压主要由浓度低的一端决定，所以，这里的击穿电压是基

本确定了的，不用去再做设计。这里主要是对放大倍数的设计，放大倍主要由基极和发射极

的性质决定，主要是设计基极、发射极的浓度和深度。制造时，主是控制基区和射区扩散的

时间的温度，以使之达到我们所希望的浓度和深度。

关键词：晶体管纵向结构参数设计晶体管版图设计一次氧化一次光

刻硼扩散—预沉积硼扩散—再分布二次光刻磷扩散及测试

一、平面工艺历史及在微电子技术发展中的作用

集成电路的发展历史应该追溯到1947年12月晶体管的发明。1947年12月美

国贝尔实验室的巴丁和布拉顿制作出第一只点接触型半导体晶体管，观测到放大

现象，在这项发明中肖可莱也起到了重要作用。1948年1月肖可莱又提出了结

型双极晶体管的理论，并于1951年制作出结型晶体管。他3人因此在1956

年获得诺贝尔物理学奖。晶体管的发明揭开了半导体器件的神秘面纱引发了一次