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电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案

一、选择题（每题2分，共10分）

1.半导体的导电机构是（）

A.电子和空穴

B.只有电子

C.只有空穴

D.电子和离子

答案：A

2.以下哪种材料是本征半导体？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

答案：B

3.对于n型半导体，以下哪项说法正确？（）

A.电子浓度大于空穴浓度

B.空穴浓度大于电子浓度

C.电子浓度等于空穴浓度

D.无法判断

答案：A

4.PN结的接触电势差是指（）

A.P区与N区的电势差

B.P区与中性区的电势差

C.N区与中性区的电势差

D.P区与N区之间的电势差

答案：D

5.当温度升高时，半导体的电导率（）

A.减小

B.增大

C.不变

D.无法判断

答案：B

二、填空题（每题2分，共10分）

1.半导体的导电机制主要是通过______和______进行的。

答案：电子、空穴

2.本征半导体的电阻率随温度升高而______。

答案：减小

3.对于n型半导体，掺杂元素通常是______。

答案：五价元素

4.PN结的正向电压是指______。

答案：P区接正极，N区接负极时的电压

5.半导体的光电效应是指______。

答案：光子能量大于半导体禁带宽度时，光子激发出电子空穴对的现象

三、判断题（每题2分，共10分）

1.非本征半导体的电导率仅由温度决定。（）

答案：×（错误）

2.PN结的反向饱和电流随温度升高而增大。（）

答案：√（正确）

3.对于p型半导体，掺杂元素通常是三价元素。（）

答案：√（正确）

4.半导体的电阻率随温度升高而增大。（）

答案：×（错误）

5.光电效应是半导体产生光生伏特效应的基础。（）

答案：√（正确）

四、解答题（每题10分，共30分）

1.设有一个本征半导体硅，其禁带宽度为1.1eV。求在室温（300K）下，该硅的电子浓度和空穴浓度。

答案：

首先，计算本征载流子浓度公式：ni=BT^3/2exp(Eg/2kT)

其中，B为常数，T为温度（开尔文），Eg为禁带宽度，k为玻尔兹曼常数。

代入数据计算：

ni=(1.08×10^6)(300)^3/2exp(1.1/28.62×10^5300)

ni≈1.5×10^10cm^3

由于本征半导体的电子浓度等于空穴浓度，所以电子浓度和空穴浓度均为1.5×10^10cm^3。

2.有一n型半导体硅，掺杂浓度为5×10^15cm^3。求该半导体在室温下的电子浓度和空穴浓度。

答案：

由于n型半导体的电子浓度等于掺杂浓度，所以电子浓度n=5×10^15cm^3。

根据本征载流子浓度公式，计算空穴浓度p：

p=ni^2/n

p=(1.5×10^10)^2/(5×10^15)

p≈4.5×10^10cm^3

所以，该n型半导体硅在室温下的电子浓度为5×10^15cm^3，空穴浓度为4.5×10^10cm^3。

3.请简述PN结的形成过程及其原理。

答案：

PN结的形成过程如下：

（1）当P型和N型半导体接触时，P区的空穴会向N区扩散，N区的电子会向P区扩散。

（2）由于扩散运动，P区和N区分别形成正、负电荷的耗尽层。

（3）耗尽层内的电场会阻碍进一步的正电荷和负电荷的扩散，达到动态平衡。

（4）此时，P区和N区之间的电势差称为接触电势差，形成一个PN结。

原理：PN结的形成是基于半导体的掺杂特性和载流子的扩散运动。当P型和N型半导体接触时，由于两种半导体中载流子浓度不同，会导致载流子发生扩散运动。扩散运动使P区带正电，N区带负电，形成电场，阻碍进一步的正电荷和负电荷的扩散，从而达到动态平衡。