基于化合物半导体工艺的高效率高功率放大器研究设计.pdf

华中科技大学硕士学位论文

摘要

现代无线通信系统不断向高传输速率、多标准兼容、多频段并发和高集成度等趋

势发展，这对于射频前端电路中的核心模块功率放大器提出了更高的性能要求。另一

方面，相比于硅基器件而言，化合物半导体器件具有更高的功率密度、击穿场强和工

作温度，在功率放大器设计与应用中具有巨大优势。在此背景下，本文针对基于化合

物工艺的高效率及高功率放大器进行研究设计，主要工作内容包括：

（1）基于级联双模谐振环结构的滤波匹配网络，设计了一款氮化镓（GaN）高效

宽带滤波功率放大器。该滤波网络直接作为GaN晶体管的输出匹配网络，该输出匹配

电路设计基于所提出的阻性二、三次谐波扩展连续逆F类模式，将功率放大器的高效

阻抗设计空间进一步扩展，极大地提升了电路的高效带宽和设计自由度，相对带宽达

128%，带内效率大于58%，且具有高选择特性和高次谐波抑制效果。

（2）设计了一款C/Ku波段双频段砷化镓（GaAs）功率放大器芯片，结合连续J

类功率放大器模式理论，功率放大器的输出匹配网络可以同时控制两个目标频段下的

二次谐波阻抗，在中心频率4.8GHz和14.8GHz双频段下实现了高效阻抗匹配，整体

电路输出功率大于22dBm，功率附加效率均大于40%。

（3）设计了一款X波段GaN高功率放大器芯片，其输出匹配网络同时作为功率合

成网络。另外，级间匹配网络和输入匹配网络也同时起到了功率分配的作用，大大减

小了电路的损耗，提高了设计效率。整体电路仅采用两级放大结构，实现了28W的

2

输出功率，功率增益大于24dB，且功率附加效率大于42%，功率密度达2.76W/mm。

关键词：功率放大器；化合物半导体；滤波融合设计；双频段；高效率；高功率

I

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Abstract

Modernwirelesscommunicationsystemsareconstantlydevelopingtowardshigher

transmissionrates,multi-standardcompatibility,multi-bandconcurrency,andhighintegration.

Thishasputforwardhigherperformancerequirementsforthecoremodulepoweramplifierin

theRFfront-endcircuit.Ontheotherhand,compoundsemiconductordeviceshavesignificant

advantagesoversilicon-baseddevicesintermsofhigherpowerdensity,breakdownfield

strength,andoperatingtemperature,makingthemhighlysuitableforpoweramplifierdesign

andapplications.Againstthisbackground,thisthesisfocusesonthedesignofefficientand

high-poweramplifiersbasedoncompoundtechnology.Themainworkofthisthesisincludes:

(1)Agalliumnitride(GaN)high-efficiencybroadbandfilteringpoweramplifierbasedon

acascadeddual-moderesonantringstructureisdesigne