氧化物及六方氮化硼忆阻器随机电报噪声的多维度解析与前沿探索.docx

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，传统的半导体器件逐渐逼近其物理极限，难以满足日益增长的高性能计算和存储需求。忆阻器作为一种具有独特记忆特性的新型电子器件，自2008年惠普实验室首次在TiO?材料中成功实现物理构建以来，便受到了学术界和工业界的广泛关注。忆阻器具有高速、低功耗、高集成度以及兼具信息存储与计算功能等诸多优点，被认为是最有潜力的未来逻辑运算器件，有望成为突破冯?诺依曼计算机体系结构瓶颈的关键技术，为实现下一代高性能、低功耗的计算和存储系统提供了新的思路和途径。

在众多忆阻器材料体系中，氧化物忆阻器由于其丰富的物理性质、与现有半导体工艺的兼容性以及相对成