碳化硅薄膜应用.ppt

关于碳化硅薄膜应用第1页，共10页，星期日，2025年，2月5日碳化硅薄膜应用半导体材料的发展史中，一般将si，Ge称为第一代电子材料，GaAs，Inp,InAs及其合金等称为第二代电子材料，而将宽带高温半导体SiC，GaN，AiN，金刚石等称为第三代半导体材料。随着科学技术的发展，对能在极端条件下工作的电子器件的需求越来越迫切，常规半导体如Si，GaAs已面临严峻挑战，发展带宽隙半导体（Eg2.3Ev)材料已成为当务之急。SiC是第三代半导体材料的核心之一。第2页，共10页，星期日，2025年，2月5日SiC的优点：带隙宽，热导率高，电子饱和漂移速率大，化学稳定性好等，非常适于制作高温，高频，抗辐射，大功率和高密度集成的电子器件。利用其特有的禁带宽度（2,。3ev~3.3eV），还可以制作蓝，绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。另外，与其他化合物半导体材料如GaN，AlN等相比，SiC的独特性质是可以形成自然氧化层SiO2.这对制作各种一MOS为基础的器件是非常有利的。第3页，共10页，星期日，2025年，2月5日第4页，共10页，星期日，2025年，2月5日第5页，共10页，星期日，2025年，2月5日现状：随着社会信息化的需要和现代电子系统的迅速发展，越来越迫切需要Si和GaAs器件难以承受的高温环境下工作的电子器件，取掉系统中现有的冷却装置，适应电子装备的进一步小型化。在寻求高温工作器件的同时，研制高频大功率、抗辐照、高性能半导体器件也是90年代以来微电子领域的重点之一。以sic、GaN、金刚石为代表的宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐照能力强、化学稳定性良好等独特的特性，使其在光电器件、高频大功率器件、高温电子器件等方面倍受青睐，被誉为前景十分广阔的第三代半导体材料。金刚石的特性虽然最佳，但由于受加工技术和设备条件的限制，加上其制作成本过高，因而，目前的研究重点多集中于siC和GaN，并取得了重大进展。sic的性能优点激励着人们对其进行大量的研究，器件的开发已经取得显著进步，其中最引人注目的电力器件是肖特基整流器、晶闸管和功率MOsFET等。sic优于Si和GaAs的材料性能，有着诱人的应用前景，尤其sic器件可在大于200℃的高温环境下工作，并具有较强的抗辐照能力，这是Si和GaAs器件不能相比的，所以近几年来，许多国家投入大量人力物力进行研究开发。第6页，共10页，星期日，2025年，2月5日SiC器件及其应用随着SiC材料制备技术的进展及器件工艺技术的进步，siC器件和电路的发展也十分迅速。采用SiC材料研制的器件种类很多，如SiC二极管、siCJEET、SiCMESFET、SiCMOSFET、SiCHBT、SiCHEMT、SiCSIT等，下面介绍几种SiC器件及其应用情况。第7页，共10页，星期日，2025年，2月5日