分子束外延技术在三五族化合物半导体材料中的应用与前沿探索.docx

分子束外延技术在三五族化合物半导体材料中的应用与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，三五族化合物半导体材料凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位。这类半导体材料由元素周期表中Ⅲ族元素（如镓（Ga）、铟（In）、铝（Al）等）与Ⅴ族元素（如砷（As）、磷（P）、氮（N）等）相互化合而成，常见的包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等。与传统的硅基半导体材料相比，三五族化合物半导体展现出一系列显著优势。

从电子特性来看，其具有更高的电子迁移率。以砷化镓场效应晶体管（GaAsFET）为例，其电子迁移率可达10,000