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JXP45P02SDRG 20V P沟道增强型MOSFET DFN3x3-8L -深圳恒锐丰科技27.pdf

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靖芯JXP45P02SDRG

STBCHIP20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP45P02SDRGusesadvancedtrench

S

technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandhighdensitycellDesignforultralow

on-resistance.ThisdeviceissuitableforuseasG

aloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURESD

VDS=-20V,ID=-45A

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=5.5mΩ@VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=7.5mΩ@VGS=-2.5VDFN3*3-8L

Highpowerandcurrenthandingcapability

LeadfreeproductisacquiredS15D

S26D

SurfacemountpackageS37D

G48D

APPLICATION

5678

PWMapplications

45P02

25P03

Loadswitch

XXYY

XXYY

PACKAGE4321

DFN3×3-8LNote:XX:YearCode;YY:WeekCode.

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

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