JXP1205MRG 12V P沟道增强型MOSFET SOT23-3L -深圳恒锐丰科技1.pdf

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靖芯JXP1205MRG

STBCHIP12VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP1205MRGusesadvancedtrenchS

technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandhighdensitycellDesignforultralow

on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas

aloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURES

VDS=-12V，ID=-6A

RDS(ON)(Typ.)=35mΩ@VGS=-2.5V

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=27mΩ@VGS=-4.5V

HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT23-3L

Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)

SurfacemountpackageD

APPLICATION

PWMapplications1205

Loadswitch

PACKAGE12

SOT23-3L

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP1205MRG-55°Cto+150°CSOT23-3L12053000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA=25℃unlessotherwisenoted)

parametersymbollimitunit

Drain-sourcevoltageVDS-12V

Gate-sourcev

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