JXP1205VRG 12V P沟道增强型MOSFET SOT-23 -深圳恒锐丰科技2.pdf

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靖芯JXP1205VRG

STBCHIP12VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP1205VRGusesadvancedtrenchS

technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandhighdensitycellDesignforultralow

on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas

aloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURES

VDS=-12V，ID=-5A

RDS(ON)(Typ.)=38mΩ@VGS=-2.5V

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=30mΩ@VGS=-4.5V

HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT-23

Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)

SurfacemountpackageD

APPLICATION

PWMapplications1205

Loadswitch

PACKAGE12

SOT-23GS

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP1205VRG-55°Cto+150°CSOT-2312053000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA=25℃unlessotherwisenoted)

parametersymbollimitunit

Drain-sourcevoltageVDS-12V

Gate-sourcevoltage

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