JXP1216DRG 12V P沟道增强型MOSFET DFN2020-6L -深圳恒锐丰科技5.pdf

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2025-03-06 发布于广东
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JXP1216DRG 12V P沟道增强型MOSFET DFN2020-6L -深圳恒锐丰科技5.pdf

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靖芯JXP1216DRG

STBCHIP12VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP1216DRGusesadvancedtrenchS

technologytoprovideexcellentRDS(ON),low

gatechargeandhighdensitycellDesignfor

ultralowon-resistance.Thisdeviceissuitable

foruseasaloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURES

VDS=-12V，ID=-16A

RDS(ON)(Typ.)=16.5mΩ@VGS=-2.5V

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=12mΩ@VGS=-4.5V

HighpowerandcurrenthandingcapabilityDFN2020-6L

LeadfreeproductisacquiredTopViewBottomView

Surfacemountpackage

APPLICATION

PWMapplications

Loadswitch

PACKAGE

DFN2020-6LNote：XXYY—Datecode

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JX1216

JXP1216DRG-55°Cto+150°CDFN2020-6L3000

XXYY

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA=25℃unlessotherwisenoted)

parametersymbollimitunit

Drain-sourcevoltageVDS-12V

Gate-sourcevoltageVGS±12V

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