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靖芯JXP2305VRG
STBCHIP20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP2305VRGusesadvancedtrenchS
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
G
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
D
VDS=-20V，ID=-4.0A
RDS(ON)(Typ.)=46mΩ@VGS=-2.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=38mΩ@VGS=-4.5V
HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT-23
Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)
SurfacemountpackageD
3
APPLICATION
PWMapplications2305
Loadswitch
PACKAGE12
SOT-23GS
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP2305VRG-55°Cto+150°CSOT-2323053000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA=25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS-20V
Gate-sourcevoltage
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