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JXP2305BMRG
20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP2305BMRGusesadvancedtrench
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
V-20V，I-4.2A
DSD
RDS(ON)(Typ.)50mΩ@VGS-2.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)35mΩ@VGS-4.5V
Highpowerandcurrenthandingcapability
Leadfreeproductisacquired
Surfacemountpackage
APPLICATION
PWMapplications
Loadswitch
PACKAGE
SOT23-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP2305BMRG-55°Cto+150°CSOT23-3L2305B3000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS-20V
Gate-sourcevoltageVGS±12V
T25°C-4.2
A
Continuousdraincurrent(T150°C)aI
JD
T70°C-3.4A
A
PulseddraincurrentbIDM-16.8
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