JXP4435SRG 20V P沟道增强型MOSFET SOP-8 -深圳恒锐丰科技26.pdf

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2025-03-06 发布于广东
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JXP4435SRG 20V P沟道增强型MOSFET SOP-8 -深圳恒锐丰科技26.pdf

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靖芯JXP4435SRG

STBCHIP30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP4435SRGusesadvancedtrench

technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandhighdensitycellDesignforultralow

on-resistance.ThisdeviceissuitableforuseasG

aloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURESD

VDS=-30V，ID=-10A

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=19mΩ@VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=15mΩ@VGS=-10VSOP-8

Highpowerandcurrenthandingcapability

TopViewBottomView

Leadfreeproductisacquired

Surfacemountpackage

APPLICATION

PWMapplications

Loadswitch

PACKAGE

SOP-8Note：XX：YearCode;YY：WeekCode.

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP4435SRG-55°Cto+150°CSOP-84435/XXYY4000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA=25℃unlessotherwisenoted)

parametersymbollimitunit

Drain-sourcevoltageVDS-30V

Gate-sourcevoltageVGS±20V

T=25°C-10

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