JXP4606ASRG 30V N沟道和P沟道增强型MOSFET SOP-8 -深圳恒锐丰科技28.pdf

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2025-03-06 发布于广东
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JXP4606ASRG 30V N沟道和P沟道增强型MOSFET SOP-8 -深圳恒锐丰科技28.pdf

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JXP4606ASRG

30VNandP-ChannelEnhancementMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP4606ASRGusesadvancedtrench

technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlow

gatecharge.ThecomplementaryMOSFETmay

beusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,

andforahostofotherapplications.

GENERALFEATURES

N-channel：

VDS30V,ID7A

RDS(ON)(Typ.)18mΩ@VGS10V

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)27mΩ@VGS4.5V

P-Channel：SOP-8

VDS-30V,ID-6A

RDS(ON)(Typ.)47mΩ@VGS-10V

RDS(ON)(Typ.)60mΩ@VGS-4.5V

Verylowon-resistanceRDS(ON)

150°Coperatingtemperature

Pb-freeleadplating

APPLICATION

XXYY:XX—years，YY—weeks

DC/DCConverter

PACKAGE

Idealforhigh-frequencyswitchingand

synchronousrectificationSOP-8

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP4606ASRG-55°Cto+150°CSOP-84606A/XXYY4000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA25℃unlessotherwisenoted)

limit

parametersymbolunit

Drain-sourcevoltageVDS30-30V

Gate-sourcevoltageVGS±20±20V

T25°C

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