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靖芯JXP4953SRG
STBCHIP30VDualP-ChannelEnhancementMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP4953SRGusesadvancedtrench
S1S2
technologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)
withlowgatecharge.Itcanbeusedinawide
varietyofapplications.G1G2
GENERALFEATURES
D1D2
VDS=-30V,ID=-5.0A
P1P2
RDS(ON)=46mΩ(typical)@VGS=-10V
RDS(ON)=65mΩ(typical)@VGS=-4.5V
PINASSIGNMENT
HighdensitycelldesignforultralowRdson
FullycharacterizedavalanchevoltageandSOP-8
current
TopViewBottomView
APPLICATION
Powerswitchingapplication
Hardswitchedandhighfrequencycircuits
Uninterruptiblepowersupply
PACKAGE
SOP-8XXYY:XX—yearscode，YY—weekscode
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP4953SRG-55°Cto+150°CSOP-84953/XXYY4000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA=25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS-30V
Gate-sourcevoltage
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