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靖芯JXP9926ASRG
STBCHIP20VDualN-ChannelEnhancementMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP9926ASRGusesadvancedtrenchD1D2
technologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)
withlowgatecharge.ItcanbeusedinawideG1G2
varietyofapplications.
GENERALFEATURESS1S2
VDS=20V,ID=6AN1N2
RDS(ON)=17mΩ(typical)@VGS=4.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)=24mΩ(typical)@VGS=2.5V
HighdensitycelldesignforultralowRdsonSOP-8
FullycharacterizedavalanchevoltageandTopViewBottomView
current
APPLICATION
Powerswitchingapplication
Hardswitchedandhighfrequencycircuits
Uninterruptiblepowersupply
PACKAGE
XXYY:XX—yearscode，YY—weekscode
SOP-8
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP9926ASRG-55°Cto+150°CSOP-89926A/XXYY4000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA=25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS20V
Gate-sourcevoltageVGS±12V
T=25°C6
DrainCurrent-Continuous(Silicon
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