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靖芯JXP3407MRG
STBCHIP30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP3407MRGusesadvancedtrenchS
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
G
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
D
VDS=-30V,ID=-4.2A
RDS(ON)(Typ.)=65mΩ@VGS=-4.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=47mΩ@VGS=-10V
HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT23-3L
Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)
SurfacemountpackageD
3
APPLICATION
PWMapplications3407
Loadswitch
PACKAGE12
SOT23-3LGS
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP3407MRG-55°Cto+150°CSOT23-3L34073000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS-30V
Gate-sourcevoltage
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