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GaN微纳结构与GaN基MQWs结构：从基础到应用的深入剖析

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）无疑是一颗耀眼的明星，凭借其卓越的物理特性，在现代半导体领域占据着举足轻重的地位。作为第三代半导体材料的杰出代表，GaN以其宽带隙、高电子迁移率、高饱和漂移速度以及出色的耐高温和化学稳定性等优势，成为了众多前沿技术领域的关键支撑材料。

从光电子器件到电力电子领域，从射频器件到传感器应用，GaN的身影无处不在。在光电子领域，基于GaN材料制造的发光二极管（LED）已广泛应用于照明、显示等领域，不仅显著提高了能源利用效率，还极大地推动了显示技术的发展，如Mi