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材料对阻变存储器性能的影响分析综述

目录

TOC\o1-2\h\u6990材料对阻变存储器性能的影响分析综述 1

93481.1无机材料对阻变器性能的影响 2

255811.2氧化物材料对阻变存储器性能的影响 3

101791.1.1基于HfO2的阻变存储器 3

236831.1.2在ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究 4

271771.3柔性阻变存储器材料研究进展 4

305821.3.1介质材料的研究 5

161311.3.2电极材料的研究 5

90721.3.3基底材料的研究 6

已经发现许多材料在电场或者电流的刺激下表现出电阻变化的特性。阻变存储器（RRAM）的存储介质可分为两类：有机材料和无机材料，如图2所示。一方面，有机材料主要涉及受生物启发的有机材料（例如纳米纤维素，牛血清蛋白）和聚合物的有机材料（例如PVPCz59等）吸引力许多研究学者的注意，这些应用在可穿戴式记忆装置和一次性监测装置中。现如今，已经发现的多种氧化材料，如钙钛矿、硫族化合物、氮化物、过渡金属氧化物和一些有机材料都能够作为阻变层使用。目前这些有机材料的稳定性需要进一步提高，材料的供应也是急需解决的问题。另一方面，无极材料可以通过简单的工艺制作，表现出稳定性，而且具有低成本，这更吸引了广大研究者的关注。我们主要介绍无机材料中的氧化物，柔性材料体系对阻变存储器性能的影响。

图1.1RRAM材料分类示例图[1]

1.1无机材料对阻变器性能的影响

阻变存储器普遍采用三明治结构（下电极/阻变层/上电极），因为这种夹心式的结构，从图中也能看出来对阻变存储器RRAM的性能影响最大的就是电极和阻变层材料的选择。对于阻变层材料的选择主要分为有机材料与无机材料。无机材料包括二元金属氧化物以及卤素钙钛矿材料。

对于传统无机材料有：水泥、铝酸盐水泥、陶瓷粘土质、沸石、多孔硅酸，盐等。而卤素钙钛矿阻变材料相较于传统无机材料和其他柔性阻变材料来说，具有操作电压低，转换的速度快，价格便宜等优势的一种新型的无机材料。因为这种无机材料的种种优势，更是引起了研究者的关注，掀起了研究热潮。在应用上，2015年，韩国的Yoo[12]等人首次报道了Au/CH3NH3PbI3-xClx/FTO三明治结构的阻变器件，所具有的优势展现出卤素钙钛矿阻变存储器在应用上所具有的优势，具有很大的潜力，在2016年，Lee[13]课题组制作出来非易失性的卤素钙钛矿阻变存储器，这项成果证实了其在可穿戴设备上巨大的潜力，同时也利用卤素钙钛矿阻变存储器，实现了神经突触的仿生REF_Re\r\h[11]。

2017年，清华大学的任天令课题组，展示了卤素钙钛矿在低功耗应用方面的巨大优势。2018年，美国密西根大学Lu[14]组，展现出卤素钙钛矿材料光电协同调控的物理特性REF_Re\r\h[11]。近年来，这一系列的成就无不展示了卤素钙钛矿的应用对于非易失性存储器阻变存储器的贡献之大。

作为一种新型的无机阻变材料，卤素钙钛矿材料在低能耗，可穿戴，突触仿生技术等方面有着很大的优势。然而，阻变器材是否具有可微缩特性是衡量是否能实现工业化的前提。但是由于一些工艺技术尚不成熟，致使卤素钙钛矿很难缩小至纳米级别。因此还需我们进一步研究，使技术更加完善。

1.2氧化物材料对阻变存储器性能的影响

二氧化物由于结构简单，材料组成易于控制，成本低廉而在电子领域引起了关注，并与传统工艺兼容。早在1960年代美国的希克莫特（Hickmott）研究小组报告了在电场作用下具有阻变特性的Al/Al2O3。此后引入了TiO材料，该材料可以降低存储器开关电压并在104周期内达到良好的耐久性能。例如NiO可以提高开关比，SiO2材料则可用于功能层，并且可以提高数据保留的特性。此外还有大量的二元氧化物，例如HfO2等。复合氧化物通常有较高的介电常数，可以更好地改善诸多开关电压和开/关比之类的开关参数。

1.1.1基于HfO2的阻变存储器

早在1976年，Hirose等人研究了将Ag-As2S3固体电解质用做阻变存储器的功能层，并通过光学显微镜观察了一根Ag导电丝。当细丝没有连通时，器件呈现高阻态（OFF），当细丝连通时，器件转变为低阻态(ON），细丝成分主要分为用空为氧空位和金属离子，根据不同掺杂金属来源的效应，又可以分三种类型，分别为金属来源由电极提供，由阻变层提供，既可以由电极提供又可以由阻变层提供REF_Re\r\h[8]。目前，导电细丝机理已得到广泛认可，但在关键问题上仍存在重大争议，例如围观工艺。研究人员通过分析薄膜材料的电阻变化特性和薄膜内部