第1章-半导体二极管及其应用电路.pptVIP

第1章半导体二极管及其应用电路;1.1半导体的导电特性;1.1半导体的导电特性;半导体具有以下特性：;1.1.1本征半导体及其导电特性;硅和锗的晶体结构

;+4;+4;1.半导体中两种载流子;1.1.2N型半导体;本征半导体掺入五价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;1.1.3P型半导体;说明：;1.2PN结的形成及特性

;1.2.1PN结的形成;一、PN结中载流子的运动;3.空间电荷区产生内电场;5.扩散与漂移的动态平衡;总结:在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。;1.2.2PN结的单向导电性;形成正向电流;在PN结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻R。;空间电荷区;;综上所述：

当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。;1.2.3PN结的电容效应;扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;扩散电容示意图;势垒、扩散电容都与结面积S成正比。

点接触二极管的结面积很小，CT、CD都很小，只有0.5至几皮法。

面结合型二极管中的整流管，因结面积大，CT、CD约在几皮法至200皮法。

在等效电路中，CT和CD是并联的，总的结电容为两者之和，即C=CT+CD。当PN结正偏时，扩散电容起主要作用，C≈CD，当PN结反偏时，势垒电容起主要作用，C≈CT。;1.3二极管;1.3.1二极管的根本结构;;;;;在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，i=f(u)关系曲线。;硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线;1.正向特性;2.反向特性;雪崩击穿：;齐纳击穿：;电击穿:当反向电流与电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率时,称为电击穿，是可逆的。即反压降低时,管子可恢复原来的状态。;4.伏安特性的数学表达式(二极管方程);1.3.3二极管的参数、型号及选择;(4)最高工作频率fM;3.选择二极管的一般原那么

(1)要求导通后正向压降小者选锗管；要求反向电流小者选硅管。

(2)要求工作电流大者选面接触型；要求工作频率高者选点接触型。

(3)要求反向击穿电压高者选硅管。

(4)要求温度特性好或耐高温者选硅管。;1.3.4二极管的分析方法;2．恒压降模型;例电路如图1.3.7(a)所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V。

(1)试分别用理想模型和恒压降模型求UR的值。

(2)当二极管VD反接，电路如图1.3.7(b)所示，试分别用两种模型求UR的值。;例电路如下图，其中El＝7V，E2＝5V，E3＝6V，设二极管的导通电压0.6V。分别估算开关S在位置1和位置2的输出电压UO的值。;1.3.5二极管的应用;3.在数字电路中的应用;1.4特殊二极管;稳压二极管;2.稳压管的主要参数;(4)电压温度系数?U;(5)额定功耗PZ;VDZ;1.4.2光电二极管;1.光电二极管的特性曲线;2.光电二极管的主要参数

(1)最高反向工作电压URM

在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压。

(2)暗电流ID

是指光电二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光电二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。

(3)光电流IL

是指光电二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。

;(4)正向压降UF

是指光电二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。;1.4.3发光二极管