气相共蒸法：锑基半导体薄膜制备与光伏性能的深度剖析.docx

气相共蒸法：锑基半导体薄膜制备与光伏性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着全球经济的快速发展和人口的持续增长，人类对能源的需求与日俱增。传统化石能源如煤炭、石油和天然气等，不仅储量有限，且在使用过程中会产生大量的污染物，对环境造成严重破坏，如导致全球气候变暖、空气质量恶化等问题。因此，开发清洁、可再生的能源已成为当务之急。在众多可再生能源中，太阳能以其储量丰富、分布广泛、清洁无污染等优点，成为最具发展潜力的能源之一。

光伏发电技术作为利用太阳能的重要方式，近年来得到了迅猛发展。它是基于半导体材料的光生伏特效应，将太阳能直接转换为电能。目前，商业化的太阳能电池主要以硅基太阳能