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以下的的问题是VASP初学者经常遇到的，列出来共同讨论：
1.TEBEG,TEEND的单位是K吗?
答：是K为单位的。
2.在运算中,直接COPYPOSCAR文件到工作就可以吗,用不用再POSCAR
或INCAR文件中设定参数来控制POSCAR的赝势的?
答：不大明白你的问题。在一个工作准备好INCAR,POSCAR,POTCAR，
KPOINTS这四个文件。先看POTCAR中LEXCH后面的值是什么，如果是CA，那么
INCAR中就不用设置GGA了；如果是91，那么就在INCAR中输入GGA=91；如果
是PE，那么就设置GGA=PE。
3.模拟表面,一般SLAB选多厚?
答：自己多测试不同的厚度后，来确定slab的厚度
4.在KPOINT文件中,如果选取MONKHORST-pack的K点产生办法,K点相对自
动网格移动时怎么回事?
答：你monkhorst,pack1976年在phys.rev.b上的文献，他们在文
献中给出了对于sc,bcc和fcc三种格子的一种效率很高的k点选取标准。但是
这种k-mesh的并不是将第一个点取在倒空间的原点处，而是有一个
shift，比如对于fcc而言，这个shift时（1/8，1/8，1/8）。但是这种mp方
法对于正交格子适用，而对于或者六方的格子则并不好。因此这时建议采用
\gamma点为的k-mesh（vasp用户手册）
5.想做表面重构,VASP能做吗,能用分子动力学模拟吗,怎么设置参数?
答：做重构的计算，一般用分子动力学的方式来模拟。你可以参考文献上模拟
表面体系重构的作法。大多是采用比较几个表面模式的能量以及相关的热力学量。
6.不指定电子的总SPIN,会有影响吗,一般什么体系才考虑自旋?
答：你做的体系是否包含3d-过渡金属离子(V至Ni)或其他含f电子的原子，
如果没有的话，可以不考虑自旋极化的计算。
7.表面的原子或分子的,扩散还有重构,IBRION怎么设定?
答：是扩散的化，一般用NEB的方法计算其扩散路径或扩散势垒。
8.如果知道一个化合物的组成,想计算它的总能一般应怎么办?同时如果一
直组成如何在常温下计算它的稳定结构,比如FeMgCl2？
答：计算总能，自己准备好vasp的输入文件，运算后就直接得到。可能考虑
它的结合能比较好。
9.在计算一个系统的稳定结构时，SMASS参数如何设置？
答：看你是计算这个稳定结构的什么性质：计算总能和DOS，用ISMEAR=-5，
不用管SMASS。
10.具体给介绍一下STM图像的模拟办法，如何计算特定的能带，还有计算
完成后一般去那个文件查找对自己有用的数据？
答：一般来说用parchg做个图就可以了，当然以上方法仅限于T-H近似。
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