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氮化镓准垂直肖特基二极管制备工艺与结终端技术的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域快速发展的进程中，半导体器件的性能对于各行业的技术革新起着关键作用。氮化镓准垂直肖特基二极管作为新型半导体器件，凭借其独特的材料特性和结构优势，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为当前半导体研究的热点之一。

随着5G通信技术的迅猛发展，数据的无线传输速率不断攀升，这对射频通信器件的功率和频率范围提出了严苛要求。5G基站需要处理海量的数据传输，要求器件具备高功率、高效率以及低损耗的特性。氮化镓准垂直肖特基二极管以其高电子饱和速度和高电场强度的优势，能够满足5G通信中对高功率微波器件